[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201180031533.0 | 申请日: | 2011-10-06 |
公开(公告)号: | CN102959735A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 裵道园 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/18 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;林锦辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
技术领域
实施例涉及一种太阳能电池及其制造方法。
背景技术
近来,随着能耗的增加,一种把太阳能转换成电能的太阳能电池的开发已经被实行。
尤其是,基于CIGS的太阳能电池被广泛地应用,基于CIGS的太阳能电池是一个PN异质结装置,该装置具有包含玻璃支撑基板的支撑基板结构、金属背电极层、P型基于CIGS的光吸收层、缓冲层、以及N型透明电极层。
另外,为了增加太阳能电池的效率,进行了各种研究。
发明内容
实施例提供了一种具有光电转换能力的太阳能电池,以及该太阳能电池的制造方法。
根据实施例,太阳能电池包括支撑基板、支撑基板上的反射层、形成在反射层上并包含与反射层相同的金属的氧化层、氧化层上的背电极层、背电极层上的光吸收层、光吸收层上的缓冲层,以及缓冲层上的窗口层。
根据实施例,太阳能电池的制造方法包括:在支撑基板上形成包含金属的反射层、通过氧化反射层的上部形成氧化层、在氧化层上形成背电极层、在背电极层上形成光吸收层、在光吸收层上形成缓冲层、以及在缓冲层上形成窗口层。
如上所述,根据实施例,在支撑基板上形成反射层,并氧化反射层的顶部表面形成氧化层。因此,提高了太阳能电池的可靠性以及光电转换效率。
附图说明
图1是示出根据实施例的太阳能电池的剖视图;
图2到5是示出根据实施例的太阳能电池制造方法的剖视图。
具体实施方式
本实施例的描述中,可以理解,当一个层(或薄膜)、区域、图案、或结构被指出是在另一个基板、层(或薄膜)、区域、衬垫或图案的“上”或者“下”时,它可以是直接或间接在其他的基板,层(或薄膜),区域,衬垫或图案上,或是一个或是多个中间层也可以存在。参照附图描述了所述层的这种位置。为了方便或明确,附图中每一层的厚度和尺寸的显示可能是夸大的,省略的或示意性的显示。另外,元素的尺寸并没有完全地反映实际尺寸。
图1所示是根据实施例的太阳能电池的剖视图。参照图1,根据实施例的太阳能电池包含支撑基板100、支撑基板100上的反射层200、反射层200上的氧化层250、氧化层250上的背电极层300、背电极层300上的光吸收层400、光吸收层400上的缓冲层500、以及缓冲层500上的窗口层600。
支撑基板100是平板形状并支撑反射层200、氧化层250、背电极层300、光吸收层400、缓冲层500以及窗口层600。
支撑基板100可以包含绝缘体。支撑基板100可以是透明的。支撑基板100可以是刚硬的或是挠性的。
支撑基板100可以包含金属。更详细的,支撑基板100可以包含铁(Fe)、镍(Ni)和铬(Cr)中的一种材料。支撑基板100可以是透明的以及刚硬的或是挠性的。
当支撑基板100包含金属时,支撑基板100需要的制造成本低于包含玻璃的支撑基板,这样可以得到有利的经济效益。另外,支撑基板100是挠性的,使得支撑基板100在携带上比较有利。
然而,当支撑基板包含金属时,支撑基本100中含有的金属离子可以扩散到上面的层。因此,太阳能电池的电特性可能降低。
因此,支撑基板100中含有的离子可以通过氧化层250的形成被阻止扩散到上面。换言之,氧化层250可以作为反扩散层。
由于通过光吸收层400入射向支撑基板100的光线能被反射层200反射到光吸收层400上,因此能够提高光电转换效率。
反射层200可以包含硅氧化物(SiOX)或是氧化铝(Al2O3)。另外,反射层200可以被用作异质结层。
如果包含Ti/SiOx的异质结层被用作反射层200,由于在Ti被沉积之后一种材料诸如SiOX被沉积,工艺数量增加。因此,提高了生产效率。
根据实施例,在支撑基板100上形成反射层200后,反射层200被氧化以形成氧化层250。因此,在制造过程中的便利性提高。
反射层200可以包含一种构成氧化薄膜的材料。例如,反射层200可以包含选自钽(Ta)、钨(W)、铝(Al)、镁(Mg)、钕(Nd)、氧化锆、铍(Be)和钛(Ti)的材料。
反射层200反射通过光吸收层400射向支撑基板100的光线,并将光线反射到光吸收层400,使得太阳能电池的光电转换效率能被提高。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的