[发明专利]经由存储器的误差信号训练存储器信号的方法和装置有效

专利信息
申请号: 201180031921.9 申请日: 2011-06-20
公开(公告)号: CN102959639A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: S.乔扈里;J.H.萨尔蒙;K.S.拜恩斯 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G11C8/18
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 叶晓勇;朱海煜
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 经由 存储器 误差 信号 训练 方法 装置
【权利要求书】:

1. 一种方法,所述方法包括:

从存储器控制器传送命令-地址(C/A)信号到存储器模块;

通过所述存储器控制器,经由来自所述存储器模块的误差引脚的误差信号来确定所述存储器模块中的误差,所述误差与传送到所述存储器模块的C/A信号相关联;以及

响应于确定所述存储器模块中的误差,通过所述存储器控制器修改所述C/A信号。

2. 如权利要求1所述的方法,其中所述误差引脚是所述存储器模块的奇偶校验误差引脚。

3. 如权利要求1所述的方法,其中所述存储器模块包括双倍数据率4(DDR4)接口。

4. 如权利要求1所述的方法,其中所述存储器模块是具有动态随机存取存储器(DRAM)的双列直插式存储器模块(DIMM)。

5. 如权利要求1所述的方法,其中响应于确定所述存储器模块中的误差,通过所述存储器控制器修改所述C/A信号包括:

通过相对于所述存储器控制器的时钟信号延迟所述C/A信号的相位来调节所述C/A信号;

从所述存储器控制器传送所调节的C/A信号到所述存储器模块;以及

通过所述存储器控制器,经由来自所述存储器模块的误差信号来确定所述存储器模块中的误差,所述误差与传送到所述存储器模块的调节的C/A信号相关联。

6. 如权利要求5所述的方法,还包括:

响应于确定与传送到所述存储器模块的C/A信号和调节的C/A信号相关联的所述存储器模块中的误差,确定用于所述C/A信号的相位设置;以及

通过所述存储器控制器相对于所述存储器控制器的时钟信号将所述相位设置分配到所述C/A信号。

7. 如权利要求6所述的方法,其中所述相位设置是所述存储器控制器传送到所述存储器模块的所有正确地接收的C/A信号的相位的平均值,接收的C/A信号包括所述C/A信号和所调节的C/A信号。

8. 如权利要求1所述的方法,还包括通过所述存储器控制器重置与所述存储器模块中的误差相关联的误差寄存器。

9. 如权利要求1所述的方法,还包括在修改所述C/A信号之前通过所述存储器控制器修改控制信号。

10. 如权利要求9所述的方法,其中所述控制信号是片选信号。

11. 一种存储器控制器,所述存储器控制器包括:

传送器,所述传送器可操作以传送命令-地址(C/A)信号到存储器模块;以及

训练逻辑单元,所述训练逻辑单元可操作以:

通过误差检测逻辑单元,经由来自所述存储器模块的误差引脚的误差信号来确定所述存储器模块中的误差,所述误差与传送到所述存储器模块的C/A信号相关联;以及

响应于确定所述存储器模块中的误差,通过相位调节逻辑单元修改所述C/A信号。

12. 如权利要求11所述的存储器控制器,其中所述误差引脚是所述存储器模块的奇偶校验误差引脚。

13. 如权利要求11所述的存储器控制器,其中所述存储器模块包括双倍数据率4(DDR4)输入输出接口。

14. 如权利要求11所述的存储器控制器,其中所述存储器模块是具有动态随机存取存储器(DRAM)的双列直插式存储器模块(DIMM)。

15. 如权利要求11所述的存储器控制器,其中所述训练逻辑单元可操作以通过所述相位调节逻辑单元修改所述C/A信号,所述相位调节逻辑单元可操作以通过相对于时钟信号延迟所述C/A信号的相位来调节所述C/A信号。

16. 如权利要求14所述的存储器控制器,其中所述传送器还可操作以将所调节的C/A信号传送到所述存储器模块。

17. 如权利要求16所述的存储器控制器,其中所述训练逻辑单元还可操作以:

通过所述误差检测逻辑单元,经由来自所述存储器模块的误差信号来确定所述存储器模块中的误差,所述误差与传送到所述存储器模块的调节的C/A信号相关联;

响应于确定与传送到所述存储器模块的C/A信号和调节的C/A信号相关联的所述存储器模块中的误差,通过相位设置逻辑单元确定用于所述C/A信号的相位设置;以及

相对于时钟信号将所述相位设置分配到所述C/A信号。

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