[发明专利]用于动态存储器终止的方法和设备有效

专利信息
申请号: 201180032081.8 申请日: 2011-06-27
公开(公告)号: CN102971794A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: J·A·麦考尔;K·S·贝恩斯 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C11/4096;G11C11/4093
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张东梅
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 动态 存储器 终止 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种方法,包括:

为存储器输入-输出(I/O)接口的终止单元设置第一终止阻抗值设置;

当存储器未被存取时,将所述第一终止阻抗值设置分配给终止单元;以及响应于终止信号电平从第一终止阻抗值设置切换到第二终止阻抗值设置。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,设置第一终止阻抗值包括经由操作系统将存储器中的寄存器设置成具有第一终止阻抗值。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一终止阻抗值是默认阻抗值。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述终止信号电平是存储器的管芯上终止(ODT)信号。

5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,当ODT信号被置位时,发生从第一终止阻抗值设置值第二终止阻抗值设置的切换。

6.如权利要求4所述的方法,其特征在于,当ODT信号被撤销置位时,发生将第一终止阻抗值设置分配给终止单元。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括将第一和第二终止值设置分别设置成存储器的寄存器中的有限阻抗值。

8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述终止单元包括操作上导通或断开的多个上拉电阻器,且其中将第一终止阻抗值设置分配给终止单元包括导通或断开所述多个电阻器中的电阻器。

9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述存储器的I/O接口是存储器的双数据率4(DDR4)接口。

10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述存储器驻留在存储器模块中,所述存储器模块是具有一个或多个动态随机存取存储器(DRAM)的双列直插存储器模块(DIMM)。

11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述存储器是动态随机存取存储器(DRAM)。

12.一种设备,包括:

接口,操作上用于存取具有寄存器的存储器,所述寄存器具有用于所述存储器的输入-输出(I/O)接口的终止单元的第一终止阻抗值设置;

第一逻辑单元,操作上用于当存储器未被存取时,将所述第一终止阻抗值设置分配给终止单元;以及

第二逻辑单元,操作上用于响应于终止信号电平从第一终止阻抗值设置切换到第二终止阻抗值设置。

13.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述存储器的I/O接口是存储器的双数据率4(DDR4)接口。

14.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述存储器是动态随机存取存储器(DRAM)。

15.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述存储器驻留在存储器模块中,所述存储器模块是具有一个或多个动态随机存取存储器(DRAM)的双列直插存储器模块(DIMM)。

16.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述终止单元包括响应于终止信号电平而操作上导通或断开的多个上拉电阻器。

17.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述第一和第二逻辑单元操作上导通或断开所述多个电阻器中的电阻器以将终止单元的阻抗分别设置为第一和第二终止阻抗值设置。

18.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述寄存器操作上经由操作系统设置为具有第一和第二终止阻抗值。

19.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述终止信号电平是存储器的管芯上终止(ODT)信号。

20.如权利要求19所述的设备,其特征在于,所述第二逻辑单元操作上用于在ODT信号被置位时从第一终止阻抗值设置切换到第二终止阻抗值设置。

21.如权利要求18所述的设备,其特征在于,所述第一逻辑单元操作上用于在ODT信号被撤销置位时将第一终止阻抗值设置分配给终止单元。

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