[发明专利]光伏电池及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

-提供包含ZnO层的结构体；

-对所述结构体施加一定时间的表面处理，以在所述ZnO层上形成ZnS层；和

-在所述ZnS层上沉积有源结构体。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述有源结构体包括半导体结构体。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述半导体结构体包括光吸收性半导体。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述有源结构体包括光吸收性分子染料结构体。

5.如前述权利要求中任一项所述的方法，所述方法包括其表面上承载所述ZnO层的基片。

6.如权利要求5所述的方法，其中，所述基片是导电性的。

7.如权利要求5或6所述的方法，其中，所述基片是透光性的。

8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述表面处理包括将包含所述ZnO层的所述结构体浸入含硫离子的溶液中。

9.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述一定时间是至少数秒。

10.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述器件包括至少一个光伏电池。

11.如权利要求10所述的方法，其中，所述有源结构体包括含至少一种光吸收性材料的半导体结构体。

12.如权利要求2～11中任一项所述的方法，其中，所述半导体层包含至少一种金属硫族化合物。

13.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述表面处理在室温条件下实施。

14.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述处理利用从碱性溶液进行的材料转化。

15.如权利要求1～13中任一项所述的方法，其中，所述处理利用从中性溶液或弱酸性溶液进行的材料转化。

16.如权利要求1～13中任一项所述的方法，其中，所述处理利用在气相中的材料转化。

17.如权利要求2～16中任一项所述的方法，其中，所述半导体结构体在所述ZnS层上的所述沉积包括：沉积半导体物质层，然后将空穴导电性层沉积到所述半导体层上。

18.如权利要求17所述的方法，其中，所述空穴导电性层包含CuSCN。

19.如权利要求12～18中任一项所述的方法，其中，所述金属硫族化合物层的厚度为5nm～100nm。

20.一种用于制造光伏电池的电极系的方法，所述方法包括：

-在导电性和透光性基片上提供由ZnO层形成的结构体；

-对所述结构体施加一定时间的表面处理，以在所述ZnO层上形成ZnS层；

-随后在所述ZnS层上沉积有源结构体，所述有源结构体包括以下结构体中的一个：(a)半导体结构体，其包括光吸收性半导体；和(b)分子染料结构体。

21.如权利要求20所述的方法，其中，所述半导体光吸收体结构体包含至少一种金属硫族化合物。

22.一种半导体器件，所述器件包含：电极结构体，所述电极结构体包含ZnO多孔层、在所述ZnO层上的ZnS层和在所述ZnS层顶部的有源结构体，所述有源结构体包括以下结构体中的一个：(a)半导体结构体，和(b)分子染料结构体。

23.如权利要求22(a)所述的半导体器件，其中，所述半导体结构体是单层结构体或双层结构体。

24.如权利要求22(a)或23所述的半导体器件，所述半导体器件构建为光伏电池，所述半导体结构体构建为光吸收体。

25.如权利要求24所述的半导体器件，其中，所述半导体结构体包含在所述ZnS层顶部的半导体光吸收性层。

26.如权利要求24所述的半导体器件，其中，所述半导体结构体包含在所述ZnS层顶部的半导体光吸收性层，和在所述半导体光吸收性层顶部的空穴导电性层。