[发明专利]光伏电池及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201180032207.1 申请日: 2011-06-29
公开(公告)号: CN103119674A 公开(公告)日: 2013-05-22
发明(设计)人: G·霍蒂斯;E·埃德里;E·拉比诺维奇 申请(专利权)人: 曳达研究和发展有限公司
主分类号: H01G9/20 分类号: H01G9/20;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/18
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 丁香兰;庞东成
地址: 以色列*** 国省代码: 以色列;IL
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摘要:
搜索关键词: 电池 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明大体上属于集成半导体器件领域,并涉及诸如光伏电池、特别是纳米多孔太阳能电池等配置成用于电磁能转换的半导体器件,以及此类器件的制造方法。

参考文献

以下是用于理解本发明的背景技术的相关文献的列表:

[1]CdSe-sensitized p-CuSCN/nanowire n-ZnO heterojunctions,Levy-Clement,C.;R.Tena-Zaera;M.A.Ryan;A.Katty;G.Hodes Adv.Mater.2005,17,1512~1515;

[2]Current-voltage characteristics and transport mechanism of solar cells based on ZnO nanorods/In2S3/CuSCN Dittrich,T.;Kieven,D.;Rusu,M.;Belaidi,A.;Tornow,J.;Schwarzburg,K.;Lux-Steiner,M.Appl.Phys.Lett.2008,93,053113~3;

[3]Nanostructured solar cell based on spray pyrolysis deposited ZnO nanorod array,Krunks,M.;Katerski,A.;Dedova,T.;Oja Acik,I.;Mere,A.Sol.Energy Mater.Sol.Cells2008,92,1016~1019;

[4]Understanding thefactors that govern the deposition and morphology of thin films of ZnOfrom aqueous solution,Govender,K.;Boyle,D.S.;Kenway,P.B.;O'Brien,P.J.Mater.Chem.2004,14,2575~2591;

[5]Fabrication of ZnO/CdS core/shell nanowire arrays for efficient solar energy conversionTak,Y.;Hong,S.J.;Lee,J.S.;Yong,K.J.Mater.Chem.2009,19,5945~5951;

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[8]Double-Sided CdS and CdSe Quantum Dot Co-Sensitized ZnO Nanowire Arrays for Photoelectrochemical Hydrogen Generation Wang,G.;Yang,X.;Qian,F.;Zhang,J.Z.;Li,Y. Nano Lett.2010,10,1088~1092;

[9]Chemical bath deposition of CdS quantum dots on vertically aligned ZnO nanorods for quantum dots-sensitized solar cells,Lee,W.;Min,S.K.;Dhas,V.;Ogale,S.B.;Han,S.Electrochem.Commun.2009,11,103~106;

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