[发明专利]成形电路部件的制造方法无效

专利信息
申请号: 201180033366.3 申请日: 2011-02-22
公开(公告)号: CN103053227A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 汤本哲男;渡边充广;斋藤裕一 申请(专利权)人: 三共化成株式会社
主分类号: H05K3/18 分类号: H05K3/18
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;於毓桢
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 成形 电路 部件 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及成形电路部件的制造方法,其通过激光束的照射在粗糙化的合成树脂表面上选择性地形成化学镀层。

背景技术

在由合成树脂构成的基体的表面选择性地实施化学镀覆来形成导电性电路的情况下,为了提高与化学镀覆之间的密合性,有必要预先进行基体的表面粗糙化。作为该表面粗糙化方法,有使用六价硫酸铬的化学刻蚀(例如参照专利文献1)。

然而因为六价铬是有毒的因此作业环境差。另外,为了安全处理使用后的刻蚀液的排水,有必要在将六价铬还原为三价铬后进行使其中和沉淀的处理,要求非常烦杂的处理。因此六价硫酸铬,从环境观点出发被指定为禁止用于制品的物质。进一步,为了通过化学刻蚀对基体的表面进行选择性粗糙化,有必要用掩模被覆不进行粗糙化的表面的费事的工作。另外,通过化学刻蚀对基体的整个表面进行预先粗糙化的情况下,为了仅对成为电路的部分施加催化剂和化学镀覆,有必要用掩模被覆不成为电路的部分的费事的工作。进一步,为了对不成为电路的部分也进行粗糙化,使其成为亲水性,显著降低在多湿条件下的绝缘性的同时,也存在需要进行修饰的情况。

因此,提出了如下方法,即,对由合成树脂构成的基体的表面,选择性地照射激光等,仅对成为电路的部分进行粗糙化,由此来确保对该经粗糙化的成为电路的部分所施加的化学镀覆的密合性(例如参照专利文献2及3)。即在专利文献2的段落“0024”及图6等记载了,仅对基体1的膜形成用区域照射紫外线激光来进行粗糙化,进行了核赋予之后,通过清洗等去除非粗糙化区域的成核剂,接着进行化学镀覆,从而仅在膜形成用区域析出形成镀覆膜。

另外,在专利文献3的段落“0088”~“0089”及图11中记载了如下方法,即对绝缘基板1的要形成电路图案的部分照射ArF准分子激光来进行粗糙化,并附着钯3,除了该要形成电路图案的部分,再度照射激光并进行清洗,由此将除了要形成电路图案的部分的钯3a除去之后,仅在要形成电路图案的部分形成化学镀铜皮膜5。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开平10-335781号公报

专利文献2:日本特开平07-116870号公报

专利文献3:日本特开平07-212008号公报

发明内容

发明需要解决的问题

可是为了仅在成为电路的部分选择性地形成化学镀层,需要在未由激光粗糙化的不成为电路的部分不形成化学镀覆。但是,在上述专利文献2及专利文献3所记载的技术中,对于这一点,判明了存在有必要进一步改良的问题。

即上述专利文献2中,如上所述,其段落“0024”中记载了:仅对基体1的膜形成用区域照射紫外线激光进行粗糙化,在进行核赋予之后,通过清洗等除去非粗糙化域的成核剂,接着进行化学镀覆,从而仅在膜形成用区域析出形成镀覆膜。可是即使在未照射激光而未被粗糙化的部分,根据基体的种类和表面状态不同,或在基体中混合有填充剂的情况下,存在难以通过清洗除去基体上所附着的成核剂的情形,在此情况下,在所残留的催化成核剂处析出化学镀覆。

如这样的在未被粗糙化的部分析出的化学镀覆,由于与基体的密合性较低,在接下来的化学镀覆的工序中,从基体剥离而落入镀覆槽内,由此导致镀覆液的恶化。而且,如果在未被粗糙化的部分残留化学镀覆的残渣,则电路间的绝缘性会受损。

另外,在上述专利文献3中,如上所述,在其段落“0088”~“0089”中记载了:将未被激光粗糙化的、要形成电路图案的部分之外所附着的钯通过激光照射和清洗除去之后,进行化学镀铜,以便仅在要形成电路图案部分形成化学镀铜皮膜5。虽然如果如上所述通过激光照射、除去附着的钯,能够避免在除去钯的部分形成化学镀覆,但为了除去不成为电路的部分所附着的钯,需要进行重复照射激光的费事的工作。进一步,在与对不成为电路的部分照射激光来除去钯的同时,该不成为电路的部分也被粗糙化,从而产生如上所述的导电性电路间的绝缘性的降低、非镀覆面的修饰成为必要的情况。

此处,本发明的目的在于提供一种成形电路部件的制造方法,能够避免在未被激光束粗糙化的不成为电路的部分析出化学镀覆。

解决课题的方法

本发明人为了解决上述课题,进过反复广泛的研究,结果发现,只要附着钯等一种由金属离子构成的离子催化剂,将其还原形成催化剂核,则可降低在未被激光束粗糙化的不成为电路的部分所残存的催化剂核,由此可以容易地避免在不成为电路的部分形成化学镀层,从而完成了本发明。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三共化成株式会社,未经三共化成株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180033366.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top