[发明专利]扩张性膜、切割膜以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种扩张性膜，其为含有在23℃时的拉伸弹性模量为100MPa～500MPa的1-丁烯·α-烯烃共聚物（A）、以及包含丙烯·α-烯烃共聚物（b1）且在23℃时的拉伸弹性模量为8MPa～500MPa的丙烯系弹性体组合物（B）的基材，

相对于（A）与（B）的合计100重量份，所述（B）的含量为30重量份～70重量份。

2.如权利要求1所述的扩张性膜，其中，所述丙烯系弹性体组合物（B）在23℃时的拉伸弹性模量为10MPa～50MPa。

3.如权利要求1所述的扩张性膜，其中，所述丙烯系弹性体组合物（B）含有相对于100重量份的所述丙烯系弹性体组合物（B）为1重量份～70重量份的聚丙烯（b2）。

4.如权利要求3所述的扩张性膜，其中，所述丙烯系弹性体组合物（B）含有相对于100重量份的所述丙烯系弹性体组合物（B）为5重量份～20重量份的聚丙烯（b2）。

5.一种切割膜，其具有基材层以及粘着剂层，所述基材层含有权利要求1所述的扩张性膜，

所述粘着剂层设置于所述切割膜的最表面，

所述粘着剂层的、贴附于SUS-304-BA板的表面并放置60分钟后自所述SUS-304-BA板的表面剥离时的、依据JIS Z0237而测定的粘着力为0.1N/25mm～10N/25mm。

6.如权利要求5所述的切割膜，其中，依据ASTM D1238而测定的、所述基材层在230℃时的MFR以及所述粘着剂层在230℃时的MFR均为1g/10min～20g/10min以下。

7.一种切割膜，其具有基材层以及中间层，所述基材层含有权利要求1所述的扩张性膜，

所述中间层在25℃时的拉伸弹性模量E（25）及在60℃时的拉伸弹性模量E（60）满足E（60）/E（25）＜0.1的关系，且所述在25℃时的拉伸弹性模量E（25）为1MPa～10MPa。

8.如权利要求5所述的切割膜，其中，在所述基材层与所述粘着剂层之间具有中间层，

所述中间层在25℃时的拉伸弹性模量E（25）及在60℃时的拉伸弹性模量E（60）满足E（60）/E（25）＜0.1的关系，且所述在25℃时的拉伸弹性模量E（25）为1MPa～10MPa。

9.如权利要求7所述的切割膜，其中，所述中间层含有烯烃系共聚物。

10.如权利要求7所述的切割膜，其中，所述中间层的密度为800kg/m³～890kg/m³。

11.如权利要求7所述的切割膜，其中，切割膜是贴合于在至少一个面上具有高低差的半导体晶片的具有所述高低差的面上而使用的，

所述中间层的厚度大于所述半导体晶片的高低差。

12.一种半导体装置的制造方法，其包括以下工序：

通过所述切割膜的粘着剂层将权利要求5所述的切割膜贴附于半导体晶片上的工序；

对所述半导体晶片进行切割而获得半导体芯片的工序；以及

扩张所述切割膜，并拾取所述半导体芯片的工序。

13.一种半导体制造装置的制造方法，其包括以下工序：

在40℃～80℃的温度、0.3MPa～0.5MPa的压力下，通过所述切割膜的粘着剂层将权利要求8所述的切割膜贴合于半导体晶片上的工序；

对所述半导体晶片进行切割而获得半导体芯片的工序；以及

扩张所述切割膜，并拾取所述半导体芯片的工序。