[发明专利]扩张性膜、切割膜以及半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种扩张性膜及含有该扩张性膜的切割膜。切割膜在将半导体晶片切断·分割成元件小片（芯片）并以拾取方式自动回收元件的工序中作为贴附于晶片的表面或背面的固定支撑用粘着片是有用的。另外，本发明涉及一种使用该切割膜的半导体装置的制造方法以及通过该制造方法而获得的半导体装置。

背景技术

在半导体装置的制造工序中，利用旋转的圆盘刀（刀片）将形成有规定的电路图案的硅晶片切断分离（切割）成元件小片。此时，通常采用如下方法：将硅晶片贴附于粘着膜上并将硅晶片切断成小片状，对粘着膜在纵横方向上均进行拉伸，扩大元件的间隔而进行拾取（参照专利文献1）。另外，近年来，与刀片切割相比热损伤少、可进行高精细加工的利用激光光的光吸收烧蚀的半导体基板的切割方法（激光烧蚀切割）受到关注。该技术中，提出了将被加工物支撑固定于切割片上并通过激光光线对被加工物进行切割等（参照专利文献2）。

在以蓝宝石、镓、砷等为材料的发光二极管（LED）的制造工序中，由于截断后的元件尺寸为数百微米左右，因此要求通过切割用粘着膜的充分扩张来扩大元件的间隔。另外，LED用基板由于与硅相比脆性高，因此在以往的刀片切割时容易产生截断时元件缺失等问题。因此，正在寻求适于对基板损伤少的激光烧蚀切割的低污染且可获得充分的扩张性的切割用扩张性基材。

另外，对于切割用扩张性基材，要求在拉伸时不引起颈缩（necking）而整体均匀地伸长。其原因在于，若产生颈缩，则容易产生以下问题：仅膜的周边部伸长，膜的中心部并不充分伸长，中央部的元件不进行单片化。作为切割用扩张性基材，通常使用不易产生颈缩的软质氯乙烯（例如参照专利文献3）。然而，对于该切割用扩张性基材而言，软质氯乙烯所含的增塑剂经由粘着剂层转印至晶片上从而污染晶片成了问题（参照专利文献4）。作为代替氯乙烯的扩张性基材，提出了不含增塑剂的包含热塑性聚烯烃的扩张性基材。然而，该扩张性基材虽然可减少对晶片的污染，但与氯乙烯相比扩张性低，进而容易产生颈缩，因此无法获得充分的元件间隔。

专利文献1中公开了一种包含将具有橡胶弹性的热塑性树脂与乙烯系树脂层叠而成的基材以及粘接层的切割膜。对于该切割膜而言，虽然可减少晶片的污染，但可能会引起颈缩。

在专利文献5中，公开了一种将以乙烯、丙烯酸及丙烯酸烷基酯为构成成分的三元共聚物（离子键聚合物树脂）作为扩张性基材的切割膜。

在专利文献6中，公开了一种切割膜，作为可抑制切割时容易产生的丝状屑的基材，将含有高结晶性烯烃系树脂与低结晶性烯烃系树脂的半相溶系或非相溶系的聚合物共混物作为扩张性基材。作为低结晶性烯烃系树脂，例示有低密度聚乙烯、无规共聚聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。

在专利文献7～专利文献9中，公开了一种切割膜，作为可抑制切割时容易产生的丝状屑的基材，将丙烯以及乙烯和/或碳数4～8的α-烯烃系热塑性弹性体作为扩张性基材。已例示α-烯烃系热塑性弹性体可含有低密度聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚酯等作为添加成分。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平2-215528号公报

专利文献2：日本特开2002-343747号公报

专利文献3：日本特开2002-235055号公报

专利文献4：日本特开昭59-74178号公报

专利文献5：日本专利第3845129号公报

专利文献6：日本专利第3340979号公报

专利文献7：日本专利第3443110号公报

专利文献8：日本专利第3984075号公报

专利文献9：日本专利第3984076号公报

发明内容

发明要解决的课题

虽然专利文献5的切割膜可获得高扩张性、可抑制颈缩，但来源于聚合法的异物有可能残存于切割膜中。在使用激光的切割的情况下，异物可能会导致激光的散射。

专利文献6的切割膜的扩张性不充分，膜拉伸时容易断裂，在扩张时可能会导致晶片的破损。对于专利文献7～专利文献9的切割膜而言，热塑性弹性体的含量的优选范围为80重量%以上，扩张性可能会不充分。

解决课题的方法

考虑到上述问题，本发明的目的在于获得一种低污染的烯烃系扩张性基材（扩张性膜）及含有该基材的切割膜，以及获得一种具有对于以往的烯烃系扩张性基材而言不充分的高扩张性且不易颈缩的烯烃系扩张性基材及含有该基材的切割膜。