[发明专利]半导体聚合物无效

专利信息
申请号: 201180033561.6 申请日: 2011-06-14
公开(公告)号: CN102985428A 公开(公告)日: 2013-03-20
发明(设计)人: N·布劳因;W·米切尔;M·卡拉斯克-奥拉斯克;F·E·迈耶;S·蒂尔奈 申请(专利权)人: 默克专利股份有限公司
主分类号: C07D495/04 分类号: C07D495/04;C08G61/12;H01L51/42
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 邓毅
地址: 德国达*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 半导体 聚合物
【权利要求书】:

1.包含一种或多种相同或不同的式I重复单元的共轭聚合物

其中星号表示与相邻基团的连接,

Ar1每次出现时相同或不同地是选自下式的基团

Ar2每次出现时相同或不同地是选自下式的基团

W是S、Se或O,

V是CH或N,

X1和X2每次出现时相同或不同地并且彼此独立地是O、S或Se,

X是H或F,

R每次出现时相同或不同地表示F、Cl、Br、I、CN,或具有1-35个C原子的直链、支化或环状的烷基,其中一个或多个不相邻的C原子任选被-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CR0=CR00-或-C≡C-代替并且其中一个或多个H原子任选被F、Cl、Br、I或CN代替,或者表示未取代的或被一个或多个非芳族基团R1取代的具有4-30个环原子的芳基、杂芳基、芳氧基、杂芳基氧基、芳基羰基、杂芳基羰基、芳基羰基氧基、杂芳基羰基氧基、芳氧基羰基或杂芳氧基羰基,

R0和R00彼此独立地是H或任选取代的碳基或烃基,其任选包含一个或多个杂原子,

R1每次出现时相同或不同地是H、卤素、-CN、-NC、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)NR0R00、-C(=O)X0、-C(=O)R0、-NH2、-NR0R00、-SH、-SR0、-SO3H、-SO2R0、-OH、-NO2、-CF3、-SF5、任选取代的甲硅烷基,任选取代且任选包含一个或多个杂原子的具有1-40个C原子的碳基或烃基,或者P-Sp-,

R2和R3每次出现时相同或不同地并且彼此独立地具有对于R或R1给出的含义之一,其优选不同于H,

R4每次出现时相同或不同地具有对于R或R1给出的含义之一,

P是可聚合或可交联基团,

Sp是间隔基团或单键,

X0是卤素。

2.根据权利要求1的聚合物,其选自式III

-[(U)x-(Ar)y]n-III

其中

U每次出现时相同或不同地是如权利要求1中定义的式I单元,

Ar每次出现时相同或不同地是任选取代的芳基或杂芳基,

Y1和Y2彼此独立地是H、F、Cl或CN,

x每次出现时相同或不同地为0、1或2,其中在至少一个重复单元,即在至少一个单元-[(U)x-(Ar)y]-中,x为1,

y每次出现时相同或不同地为0、1或2,

n为>1的整数。

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