[发明专利]用于快速估计集成电路布局中的光刻绑定图案的方法

权利要求书

1.一种设计集成电路布局的方法，包括以下步骤：

提供待印刷的特征的多个布局(410)；

针对所述多个布局中的每个布局确定空间频率空间中的衍射级(420)；

提供包括以下各项的函数的光刻难度度量(430，440)：

能量比因子，包括所述衍射级沿着所述空间频率空间的角度坐标θ_i的难以印刷能量与易于印刷能量之比，其中所述难以印刷能量包括所述衍射级在所述空间频率空间的归一化径向坐标r的值处的能量，所述值在r＝0的邻域中并且在r＝1的邻域中，并且所述易于印刷能量包括所述衍射级的位于所述归一化径向坐标r的中间值处的能量，所述中间值在所述r＝0的邻域与所述r＝1的邻域之间；

能量熵因子，包括所述衍射级沿着所述角度坐标θ_i的能量熵；

相位熵因子，包括所述衍射级沿着所述角度坐标θ_i的相位熵；以及

总能量熵因子，包括所述衍射级的总能量熵；

针对所述多个布局中的每个布局计算所述光刻难度度量的值(450)；并且

基于所述光刻难度度量的所述值评价所述多个布局中的每个布局(460)。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括对所述多个布局中的具有比预定光刻难度阈值更大的所述光刻难度度量的值的每个布局执行全优化处理(1360)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个布局包括特征的图案的唯一瓦片集合，从而使得全芯片布局由从所述唯一瓦片集合选择的多个瓦片的布置构成(410)。

4.根据权利要求2所述的方法，其中设置所述预定光刻难度阈值以标识所述唯一瓦片集合中的所述唯一瓦片中的哪些唯一瓦片是所述全芯片布局的绑定图案。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述角度坐标θ_i的所选值计算所述光刻难度度量的所述计算的值，并且所述方法还包括针对所述多个布局中的每个布局确定全局光刻难度度量，所述全局光刻难度度量包括来自所述角度坐标θ_i的所述所选值之中的所述光刻难度度量的最大值(430，440)。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括针对所述多个布局中的每个布局：

计算全局能量比因子，所述全局能比因子包括在所述角度坐标θ_i的所选值计算的所述难以印刷能量与易于印刷能量值之比的最大值(430)；

计算全局能量熵因子，所述全局能量熵因子包括在所述角度坐标θ_i的所选值计算的所述能量熵值的最大值(440)；

计算全局相位熵因子，所述全局相位熵因子包括在所述角度坐标θ_i的所选值计算的所述相位熵值的最大值(440)；并且

计算所述能量熵因子(440)；并且

计算全局光刻难度度量值，所述全局光刻难度度量值包括所述计算的全局能量比因子、所述计算的全局能量熵因子、所述计算的全局相位熵因子和所述计算的能量熵因子的函数(450)。

7.根据权利要求1所述的方法，其中将所述空间频率空间细分成径向区域，每个径向区域包括角度坐标范围，并且所述方法还包括针对所述径向区域中的每个径向区域计算所述能量比因子、所述能量熵因子和所述相位熵因子的区域值。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括根据所述角度坐标θ_i的相对重要度加权所述能量比因子、所述能量熵因子、所述相位熵因子和所述光刻难度度量(460)。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述加权基于照射源的分布(460)。