[发明专利]切割-芯片焊接一体型膜及其制造方法、半导体芯片的制造方法有效
| 申请号： | 201180034409.X | 申请日： | 2011-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN103109353A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 加藤理绘;松崎隆行;加藤慎也;古谷凉士;作田龙弥;小森田康二 | 申请（专利权）人： | 日立化成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;H01L21/52 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 切割 芯片 焊接 体型 及其 制造 方法 半导体 | ||
1.一种切割-芯片焊接一体型膜，其特征在于，其具备
基材膜、
形成在所述基材膜上且贴附有用于刀片切割的晶片环的压敏型的粘合剂层、
形成在所述粘合剂层上且具有将要贴附作为刀片切割的对象的半导体晶片的中央部的粘接剂层，
所述粘接剂层的平面形状为圆形，
所述粘接剂层的面积比所述半导体晶片的面积大，并且比所述基材膜及所述粘合剂层的各自的面积都小，
所述粘接剂层的直径比所述半导体晶片的直径大，并且比所述晶片环的内径小，所述粘接剂层的直径与所述半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm。
2.一种切割-芯片焊接一体型膜的制造方法，其特征在于，其具备
准备在基材膜上形成有粘合剂层的切割膜的切割膜准备工序，
准备在剥离性基材上形成有粘接剂层的芯片焊接膜的芯片焊接膜准备工序，
以所述粘接剂层的面积比将要贴附在所述粘接剂层的中央部的半导体晶片的面积大且比所述粘合剂层及所述基材膜的各自的面积都小的方式将所述粘接剂层切断成圆形的粘接剂层切断工序，
将所述切割膜的形成有所述粘合剂层的面贴附于所述芯片焊接膜的所述剥离性基材及切断成所述圆形的粘接剂层的膜贴附工序，
在所述粘接剂层切断工序中，
以所述粘接剂层的直径比所述半导体晶片的直径大、且比用于刀片切割的晶片环的内径小，并且所述粘接剂层的直径与所述半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm的方式，对所述粘接剂层进行切断。
3.根据权利要求2所述的切割-芯片焊接一体型膜的制造方法，其特征在于，在所述切割膜准备工序中，准备在基材膜上形成有压敏型的粘合剂层的切割膜。
4.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，其具备
在基材膜上形成有粘合剂层且所述粘合剂层上形成有粘接剂层的切割-芯片焊接一体型膜的所述粘接剂层上，以所述粘接剂层的周边在整个半导体晶片周围都大于10mm以上地露出的方式贴附半导体晶片的半导体晶片贴附工序；
在所述粘接剂层的周边的外侧将晶片环贴附于所述粘合剂层的半导体晶片贴附工序；
用刀片切割所述半导体晶片而得到单片化的多个半导体芯片的芯片化工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
