[发明专利]切割-芯片焊接一体型膜及其制造方法、半导体芯片的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及刀片切割用的切割-芯片焊接(die bonding)一体型膜、切割-芯片焊接一体型膜的制造方法、及半导体芯片的制造方法。

背景技术

以往，在半导体芯片与半导体芯片用的支撑构件的接合中主要使用糊状的粘接剂。但是，在使用糊状的粘接剂时，存在粘接剂从半导体芯片的被挤出、半导体芯片被倾斜地粘接等不良、控制膜厚的困难性等问题。

为了解决这样的问题，近年来，代替糊状粘接剂的膜状粘接剂备受瞩目(例如，参照下述专利文献1～3)。作为该膜状的粘接剂的使用方法，有晶片背面贴附的方式。在晶片背面贴附方式中，首先，将膜状粘接剂层贴附于半导体晶片的背面后，使形成有粘合剂层的切割用基材片贴合于粘接剂层的另一面。之后，切割半导体晶片，得到单片化的半导体芯片。单片化的半导体芯片被拾取(pick up)后，移至焊接(bonding)工序。因此，要求切割用基材片的粘合剂层具有粘接剂层不会因随切断半导体晶片所产生的负荷而飞溅的程度的粘合力，但在拾取半导体芯片时，要求能够容易地拾取带粘接剂层的半导体芯片而在各半导体芯片上无粘合剂残留。

此外，用于晶片背面贴附方式的切割带具有UV型和压敏型。为UV型的切割带时，能够在UV照射前具有切割时所要求的粘合力，在UV照射后达到能够容易地拾取半导体芯片的粘合力而脱落。另一方面，为压敏型的切割带时，虽然不需要UV照射工序，但要求具有兼顾切割时所需的粘合力和能够容易地拾取半导体芯片的粘合力这样的相反特性的粘合力。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-226796号公报

专利文献2：日本特开2002-158276号公报

专利文献3：日本特开平2-32181号公报

发明内容

发明要解决的问题

已知有使上述的膜状的粘接剂层和切割用基材片一体化而成的切割-芯片焊接一体型膜。在该切割-芯片焊接一体型膜中，例如，在长条的剥离性基材上依次形成有粘接剂层、粘合剂层、及切割用基材片，粘接剂层以大于半导体晶片的方式进行预切割(预切断)。

然而，在切割工序中，为了使在高速旋转的切割刀片和半导体晶片之间产生的摩擦热冷却，而向切割刀片及半导体晶片上吹送切削水。但是，在粘接剂层与粘合剂层的密接力弱的情况下，存在如下问题：不耐受由该切削水所致的负荷和水压而导致如上述那样以大于半导体晶片的方式预切割的粘接剂层的周边部发生剥离。这样剥离的粘接剂层可能会污染半导体晶片。

本发明是为了解决上述课题而完成的，其目的在于，提供抑制在半导体晶片的切割工序中粘接剂层的周边部从粘合剂层剥离的切割-芯片焊接一体型膜及其制造方法、以及半导体芯片的制造方法。

用于解决问题的手段

为了解决上述课题，本发明所涉及的切割-芯片焊接一体型膜，其特征在于，其具备：基材膜、形成在基材膜上且贴附有用于刀片切割的晶片环的压敏型的粘合剂层、和形成在粘合剂层上且具有将要贴附作为刀片切割的对象的半导体晶片的中央部的粘接剂层，粘接剂层的平面形状为圆形，粘接剂层的面积比半导体晶片的面积大、且比基材膜及粘合剂层的各自的面积都小，粘接剂层的直径比半导体晶片的直径大且比晶片环的内径小，粘接剂层的直径与半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm。

在该切割-芯片焊接一体型膜中，粘接剂层的直径与半导体晶片的直径之差大于20mm且小于35mm。一般而言，晶片环的内径比半导体晶片的直径大35mm以上，因此，粘接剂层收纳于晶片环的孔的内侧。此外，在半导体晶片被贴附在粘接剂层的中央部时，粘接剂层的周边在半导体晶片的外侧大于10mm地露出。因此，在切割半导体晶片时，能够抑制吹送到切割刀片及半导体晶片上的切削水直接碰触到粘接剂层的周边部。因此，能够抑制切割中切削水的负荷和水压所引起的粘接剂层的周边部的剥离。