[发明专利]用于磁控管的端帽、其制造方法以及磁控管

权利要求书

1.一种由Mo烧结体构成的用于磁控管的端帽，其特征在于：范围为从所述Mo烧结体的表面至距此100μm的深度的表面区域具有30ppm或更少的碳含量，范围为从Mo烧结体的厚度方向上的中心部分至距此±100μm的距离的中心区域具有50至300ppm或更少的碳含量。

2.根据权利要求1所述的用于磁控管的端帽，其中，所述Mo烧结体具有9.6至10.0g/cm³的密度。

3.根据权利要求1或2所述的用于磁控管的端帽，其中，所述Mo烧结体具有99.9质量%或更多的Mo含量，作为杂质元素的0.005质量%或更少的Al含量，0.003质量%或更少的Ca含量，0.005质量%或更少的Cr含量，0.002质量%或更少的Cu含量，0.03质量%或更少的Fe含量，0.002质量%或更少的Mg含量，0.002质量%或更少的Mn含量，0.008质量%或更少的Ni含量，0.002质量%或更少的Pb含量，0.005质量%或更少的Si含量，以及0.002质量%或更少的Sn含量。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的用于磁控管的端帽，其中，用于磁控管的所述端帽设有Mo-Ru钎焊材料。

5.根据权利要求4所述的用于磁控管的端帽，其中，所述Mo-Ru钎焊材料具有作为杂质元素的0.05质量%或更少的碳含量，0.009质量%或更少的Fe含量，以及0.007质量%或更少的Ni含量。

6.一种磁控管，通过使用根据权利要求1-5中任意一项所述的用于磁控管的端帽配置而成。

7.一种制造用于磁控管的端帽的方法，所述方法包括：

冲压过程，用于通过利用具有99.9重量%或更多的纯度的Mo粉末以及树脂粘合剂冲压模制具有端帽形状的Mo模制体；

第一烧结过程，用于在氧化还原气氛下烧结所述Mo模制体，从而获得第一烧结体；以及

第二烧结过程，用于在还原气氛下烧结所述第一烧结体，从而获得第二烧结体。

8.根据权利要求7所述的制造用于磁控管的端帽的方法，其中，所述氧化还原气氛是湿氢气气体。

9.根据权利要求7或8所述的制造用于磁控管的端帽的方法，其中，在所述湿氢气气体的流速设定为0.2m³/小时或更多，最大达到烧结温度是1000至1200℃，并且所述最大达到烧结温度下的保持时间是1至4小时的条件下执行所述第一烧结过程。

10.根据权利要求7至9中任意一项所述的制造用于磁控管的端帽的方法，其中，在花费3至7小时将所述Mo模制体从600℃的温度加热至所述最大达到烧结温度的条件下执行所述第一烧结过程。

11.根据权利要求7至10中任意一项所述的制造用于磁控管的端帽的方法，其中，在氢气气体的流速设定为0.2m³/小时或更多，最大达到烧结温度是1600至1900℃，并且所述最大达到烧结温度下的保持时间是30分钟至5小时的条件下执行所述第二烧结过程。

12.根据权利要求7至11中任意一项所述的制造用于磁控管的端帽的方法，其中，对所述第二烧结体进一步进行滚筒抛光加工，从而获得滚筒抛光体。

13.根据权利要求12所述的制造用于磁控管的端帽的方法，其中，对所述滚筒抛光体进一步进行冲压加工。

14.根据权利要求7所述的制造用于磁控管的端帽的方法，其中，如此获得的用于磁控管的端帽配置为：范围为从所述Mo烧结体的表面至距此100μm的深度的表面区域的碳含量设定为30ppm或更少，并且范围为从Mo烧结体的厚度方向上的中心部分至距此±100μm的距离的中心区域的碳含量设定为50至300ppm或更少。