[发明专利]用于磁控管的端帽、其制造方法以及磁控管有效
申请号: | 201180035073.9 | 申请日: | 2011-07-15 |
公开(公告)号: | CN103003909A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 森冈勉;青山齐 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝;东芝高新材料公司 |
主分类号: | H01J23/04 | 分类号: | H01J23/04 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 磁控管 制造 方法 以及 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于磁控管的端帽、其制造方法以及使用该端帽的磁控管,并且更特别地,涉及一种用于磁控管的端帽、其制造方法以及使用该端帽的磁控管,所述端帽能够延长磁控管的寿命,并且能够展示长时间段内的高可靠性。
背景技术
随着磁控管的阴极部分用于电烤箱(微波炉),阴极部分已广为人知,所述阴极部分配置成主要包括:线圈状灯丝1,用于发射热电子;上部端帽3和下部端帽4,由Mo构成且通过Mo-Ru钎焊材料2接合到线圈状灯丝1的上端部分和下端部分;中心导杆(lead)5,连接并固定到上部端帽3;以及侧面导杆6,连接并固定到下部端帽4。
磁控管是一种归类为用于发射微波的电子管的偶极真空管。磁控管已经广泛应用于:微波通信设施以及家用电气设备(家用电器)。
在该磁控管中,当将数千伏的直流高电压施加到圆柱形阴极与围绕阴极的阳极之间的部分上时,产生并发射微波。
现在,磁控管已经广泛地用作根据电感加热系统烹调食物的电烤箱部分,在所述电感加热系统中使用具有2450MHz的频率以及约500-1500W的输出功率的微波。
如制造常规的用于磁控管的端帽的方法,例如,如在日本专利公报(已审查的No.3-51048;专利文件1)中公开的,已经提出烧结Mo粉末的方法。在专利文件1中,公开了一种方法,其中对Mo粉末进行模制,从而制造中间Mo烧结体;并且另一Mo-Ru钎焊材料的中间烧结体设置在中间Mo烧结体上,此后,执行主烧结操作。借助该制造方法,可以改善Mo-Ru钎焊材料与Mo烧结体(端帽)之间的接合强度。
然而,已经造成如下问题:当将端帽装配到磁控管中时,不利地降低了长期可靠性(缩短了寿命)。
文献列表
专利文件
专利文件1:日本专利(已审查)No.3-51048
发明内容
发明要解决的问题
作为研究降低上述长期可靠性的原因的结果,本发明的发明人已经发现Mo烧结体(端帽)的表面上存在的碳是降低长期可靠性的原因。此外,还获得了以下的发现。即碳源自树脂粘合剂,所述树脂粘合剂用于模制Mo模制体。
当碳存在于端帽的表面上,并且将高电压施加到真空管中的端帽上时,端帽的表面变得易于被溅射。由于这个溅射现象,端帽的表面接地并被侵蚀,从而增加了真空气氛中的碳含量。结果,确认降低了磁控管的输出功率,不利地降低了磁控管的寿命。
在上述环境下,对于用于磁控管的常规的端帽,具有进一步改善其寿命特征的技术上的要求。
为达到上述技术要求已实现本发明,并且本发明的目标是提供展示高可靠性的用于磁控管的端帽,提供制造端帽的方法,以及提供具有极好的成品率和生产效率的磁控管。
解决问题的手段
为了实现上述目标,本发明提供了用于磁控管的端帽,其由Mo烧结体构成,其特征在于:范围为从Mo烧结体的表面至距此100μm的深度的表面区域具有30ppm或更少的碳含量,范围为从Mo烧结体的厚度方向上的中心部分至距此±100μm的距离的中心区域具有50至300ppm或更少的碳含量。
此外,在上述用于磁控管的端帽中,优选的是Mo烧结体具有9.6至10.0g/cm3的密度。
此外,在上述用于磁控管的端帽中,优选的是,Mo烧结体具有99.9质量%或更多的Mo含量,作为杂质元素的0.005质量%或更少的Al含量,0.003质量%或更少的Ca含量,0.005质量%或更少的Cr含量,0.002质量%或更少的Cu含量,0.03质量%或更少的Fe含量,0.002质量%或更少的Mg含量,0.002质量%或更少的Mn含量,0.008质量%或更少的Ni含量,0.002质量%或更少的Pb含量,0.005质量%或更少的Si含量,以及0.002质量%或更少的Sn含量。
此外,在上述用于磁控管的端帽中,同样优选的是,向用于磁控管的端帽提供Mo-Ru钎焊材料。
此外,在上述用于磁控管的端帽中,同样优选的是,Mo-Ru钎焊材料具有作为杂质元素的0.05质量%或更少的碳含量,0.009质量%或更少的Fe含量,以及0.007质量%或更少的Ni含量。
此外,通过使用上述用于磁控管的端帽配置根据本发明的磁控管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝;东芝高新材料公司,未经株式会社东芝;东芝高新材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180035073.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。