[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法和液晶显示面板

说明书

技术领域

本发明涉及有源矩阵基板及其制造方法和液晶显示面板，特别涉及抑制设置于有源矩阵基板的多个像素电极之间的短路的技术。

背景技术

有源矩阵驱动方式的液晶显示面板包括：按作为图像的最小单位的各像素例如设置有薄膜晶体管（Thin Film Transistor，薄膜晶体管，以下也称为“TFT”）等开关元件的有源矩阵基板；以与有源矩阵基板相对的方式配置的对置基板；和被封入两基板之间的液晶层。

在有源矩阵基板，由于多个像素电极呈矩阵状以窄间隔设置，所以当在对成为各像素电极的透明导电膜进行成膜的工序和在使用光刻法对该透明导电膜进行图案形成的工序中产生颗粒，并且这些颗粒附着在基板上时，存在相邻的各像素电极彼此短路的可能性。

例如专利文献1中公开了一种TFT矩阵的制造方法，该制造方法具有：在形成有多个TFT的基板上形成保护绝缘膜的工序；在成为相邻的像素电极间的分离区域的区域的保护绝缘膜形成槽，同时在TFT的源极电极之上的保护绝缘膜形成开口的工序；在整个面形成透明导电膜的工序；和有选择地对透明导电膜进行蚀刻，通过槽按每个像素区域进行分离，并且形成经由开口与TFT的源极电极连接的像素电极的工序。并且，在专利文献1中记载如下：根据该TFT矩阵的制造方法，在成为相邻的像素电极间的分离区域的区域的保护绝缘膜形成槽之后，在整个面形成有透明导电膜，因此槽的侧壁的透明导电膜的膜厚比平坦面的膜厚薄，在利用蚀刻将平坦面的透明导电膜除去时，槽的侧壁的透明导电膜被可靠地除去，此外，即使在异物堵塞槽的情况下，通过湿蚀刻，蚀刻液经由与异物下面连接的槽流通，也能够将异物下的透明电极除去，由此，能够按每个像素区域完全分离像素电极。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平8-106107号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，根据专利文献1公开的制造方法，即使假设形成于保护绝缘膜的槽的截面形状为倒锥形，根据形成透明导电膜的条件（例如0.2Pa左右的低压力），在该槽的侧壁也容易形成透明导电膜，在利用蚀刻无法完全除去槽内的透明导电膜的情况下，存在相邻的各像素电极间发生短路的可能性，因此有改善的余地。

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供可靠地抑制相邻的各像素电极间的短路的技术。

用于解决课题的手段

为了实现上述目的，本发明设计如下：在各开关元件的上层的第一保护绝缘膜与各像素电极的下层的第二保护绝缘膜的层间配置的透明导电层，沿第二保护绝缘膜的槽以在从槽的侧壁凹进的状态下从槽的侧壁露出的方式设置。

具体而言，本发明涉及的有源矩阵基板，其特征在于，包括：呈矩阵状设置的多个像素；按上述多个像素中的各像素分别设置的多个开关元件；设置在上述多个开关元件中的各开关元件上的第一保护绝缘膜；设置在上述第一保护绝缘膜上的透明导电层；设置在上述透明导电层上的第二保护绝缘膜；和在上述第二保护绝缘膜上呈矩阵状设置、且与上述各开关元件分别连接的多个像素电极，在上述第二保护绝缘膜，沿上述各像素电极的周围形成有槽，使得上述第一保护绝缘膜露出，上述透明导电层沿上述第二保护绝缘膜的槽以在从该槽的侧壁凹进的状态下从该槽的侧壁露出的方式设置。

根据上述的结构，在各像素电极的下层的第二保护绝缘膜，沿各像素电极的周围形成有槽，使得第一保护绝缘膜露出，在各开关元件的上层的第一保护绝缘膜与第二保护绝缘膜的层间，沿第二保护绝缘膜的槽以在从该槽的侧壁凹进的状态下从槽的侧壁露出的方式设置有透明导电层，即透明导电层上的第二保护绝缘膜相对于透明导电层设置成遮檐状，因此，即使假设用于形成各像素电极的透明导电膜残留于第二保护绝缘膜的槽内，也能够在该槽内的透明导电膜中，沿第二保护绝缘膜的槽，产生起因于由透明导电层形成的空间的切断。由此，在第二保护绝缘膜上相互相邻的各像素电极彼此难以经由第二保护绝缘膜的槽内的透明导电膜导通，所以能够可靠地抑制相邻的各像素电极间的短路。

上述透明导电层隔着上述第二保护绝缘膜与上述各像素电极重叠，由此构成辅助电容。

根据上述的结构，通过遍及全部像素地一体设置的透明导电层隔着第二保护绝缘膜与各像素电极重叠来构成辅助电容，因此在按各像素设置有辅助电容的有源矩阵基板中，本发明的作用效果具体地被发挥。

上述透明导电层按上述各像素独立地设置，且隔着上述第二保护绝缘膜与上述各像素电极重叠，由此构成辅助电容。