[发明专利]光电子器件有效
申请号: | 201180035714.0 | 申请日: | 2011-05-25 |
公开(公告)号: | CN103003941A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 卢茨·赫佩尔 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L33/38;H01L33/62 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;田军锋 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电子 器件 | ||
1.光电子器件,具有:半导体本体(1),所述半导体本体具有带有适于产生辐射的有源层(4)的外延层序列(2);以及由半导体材料制成的载体衬底(6),所述载体衬底借助于焊层(7)与所述半导体本体(1)连接,
其中,
-所述载体衬底(6)具有第一贯通接触部(9a)和第二贯通接触部(9b),所述第一贯通接触部和所述第二贯通接触部分别从所述载体衬底(6)的朝向所述半导体本体(1)的第一主面(11)被引导到所述载体衬底(6)的背离所述半导体本体(1)的第二主面(12),
-所述外延层序列(2)具有p掺杂的半导体区域(3)和n掺杂的半导体区域(5),其中,所述第一贯通接触部(9a)经由所述焊层(7)的第一部分区域(7a)与所述p掺杂的半导体区域(3)导电地连接,并且所述第二贯通接触部(9b)经由所述焊层的第二部分区域(7b)与所述n掺杂的半导体区域(5)导电地连接,
-所述载体衬底(6)具有表面掺杂区(14),所述表面掺杂区沿着所述第一主面(11)延伸,
-所述表面掺杂区(14)具有p型区域(14a),所述p型区域包含p掺杂材料,
-所述表面掺杂区(14)具有邻接于所述p型区域(14a)的n型区域(14b),所述n型区域既包含n掺杂材料也包含p掺杂材料,以至于在所述p型区域(14a)和所述n型区域(14b)之间构造有pn结(16),
-所述n型区域(14b)电连接到所述焊层(7)的所述第一部分区域(7a)上,并且所述p型区域(14a)电连接到所述焊层(7)的所述第二部分区域(7b)上,以至于在所述表面掺杂区(14)中的所述pn结(16)构成用于所述半导体本体(1)的保护二极管。
2.根据权利要求1所述的光电子器件,
其中,除了贯通接触部(9a、9b)以外,所述表面掺杂区(14)沿着所述载体衬底(6)的整个所述第一主面(11)延伸。
3.根据前述权利要求之一所述的光电子器件,
其中,所述n型区域(14b)具有5μm至20μm的宽度。
4.根据前述权利要求之一所述的光电子器件,
其中,所述载体衬底(6)是硅衬底或锗衬底。
5.根据前述权利要求之一所述的光电子器件,
其中,所述载体衬底(6)具有在100μm至150μm之间的厚度,包括边界值。
6.根据前述权利要求之一所述的光电子器件,
其中,所述表面掺杂区(14)具有0.5μm至4μm的深度。
7.根据前述权利要求之一所述的光电子器件,
其中,所述表面掺杂区(14)具有大于1018cm-3的自由载流子的浓度。
8.根据前述权利要求之一所述的光电子器件,
其中,所述载体衬底(6)在所述表面掺杂区(14)外具有小于1016cm-3的自由载流子的浓度。
9.根据前述权利要求之一所述的光电子器件,
其中,所述载体衬底(6)在所述表面掺杂区(14)外具有大于200Ωcm的电阻率。
10.根据前述权利要求之一所述的光电子器件,
其中,所述载体衬底(6)具有侧壁(10),所述侧壁是未覆层的。
11.根据前述权利要求之一所述的光电子器件,
其中,所述n型区域(14b)围绕所述第一贯通接触部(9a)环形地设置。
12.根据前述权利要求之一所述的光电子器件,
其中,所述p型区域(14a)包括p+型区域(14c),所述p+型区域具有比剩余的p型区域(14a)更高的所述p掺杂材料的浓度。
13.根据权利要求12所述的光电子器件,
其中,所述焊层(7)的所述第二部分区域(7b)在所述p+型区域(14c)中连接到所述p型区域(14a)上。
14.根据权利要求12或13所述的光电子器件,其中所述p+型区域(14c)围绕所述第一贯通接触部(9a)环形地设置。
15.根据权利要求14所述的光电子器件,
其中,在环形的所述n型区域(14b)和环形的所述p+型区域(14c)之间设置有所述p型区域(14a)的一部分。
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