[发明专利]拍摄装置有效
申请号: | 201180037445.1 | 申请日: | 2011-08-23 |
公开(公告)号: | CN103038884A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 矶贝忠男 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H04N5/369 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 拍摄 装置 | ||
1.一种拍摄装置,其特征在于,该拍摄装置具有:
传感器芯片,其具有排列有多个像素的像素阵列和输入向所述像素阵列供给的电信号的输入端子,该像素向信号线输出与入射光相应的信号;
基板,其配置于所述传感器芯片的受光面侧,并且形成有与所述信号线电连接的第一布线图案和与所述输入端子电连接的第二布线图案;
信号处理芯片,其具有对经由所述第一布线图案输入的所述信号进行信号处理的信号处理电路和输出由所述信号处理电路进行信号处理后的所述信号的输出端子;
连接基板,其具有与所述信号处理芯片的所述输出端子电连接的第一布线和与形成于所述基板的所述第二布线图案电连接的第二布线。
2.根据权利要求1所述的拍摄装置,其特征在于,
所述连接基板具有从所述基板主体朝向所述传感器芯片侧延伸的延伸部,所述延伸部具有将所述第二布线延伸设置而成的延设布线。
3.根据权利要求1或2所述的拍摄装置,其特征在于,
所述连接基板是挠性印刷基板。
4.根据权利要求2或3所述的拍摄装置,其特征在于,
所述延伸部延伸至所述传感器芯片的侧方。
5.根据权利要求2~4中任一项所述的拍摄装置,其特征在于,
所述延伸部延伸至所述传感器芯片的两侧方。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的拍摄装置,其特征在于,
所述第二布线是向所述传感器芯片供给电力的电源线。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的拍摄装置,其特征在于,
所述第二布线是用于向所述传感器芯片供给时钟信号的时钟线。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的拍摄装置,其特征在于,
所述像素阵列将所述像素沿列方向及行方向呈格子状排列,所述信号处理芯片对由所述像素阵列输出的所述信号并行地进行信号处理。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的拍摄装置,其特征在于,
在所述传感器芯片的列方向的两侧分别设有所述外部连接部,并且在所述传感器芯片与所述外部连接部之间设有分别与该外部连接部相连接的所述信号处理芯片,在这两个信号处理芯片中的、一方的信号处理芯片上连接有所述像素阵列的偶数列,在另一方的信号处理芯片上连接有所述像素阵列的奇数列。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的拍摄装置,其特征在于,
所述信号处理芯片具有多个对所述像素阵列的每列的电信号进行数字转换的数字转换器。
11.一种拍摄装置,其具有:
传感器芯片,其具有排列有多个像素的像素阵列和输入向所述像素阵列供给的电信号的输入端子,该像素向信号线输出与入射光相应的信号;
基板,其配置于所述传感器芯片的受光面侧,并且形成有与所述信号线电连接的第一布线图案和与所述输入端子电连接的第二布线图案;
信号处理芯片,其具有对经由所述第一布线图案输入的所述信号进行信号处理的信号处理电路、输出由所述信号处理电路进行信号处理后的所述信号的输出端子、以及与所述第二布线图案电连接的布线层;
外部连接部,其具有与所述信号处理芯片的所述输出端子电连接的第一布线和与形成于所述基板的所述第二布线图案电连接的第二布线。
12.根据权利要求11所述的拍摄装置,其特征在于,
所述第二布线图案和所述布线层并联连接。
13.根据权利要求11或12所述的拍摄装置,其特征在于,
所述信号处理芯片具有多个所述布线层,两层以上的所述布线层并联连接,所述并联连接的两层以上的所述布线层与所述第二布线图案相连接。
14.根据权利要求11~13中任一项所述的拍摄装置,其特征在于,
所述外部连接部是挠性印刷基板。
15.根据权利要求11~14中任一项所述的拍摄装置,其特征在于,
所述第二布线图案是向所述传感器芯片供给电力的电源线。
16.根据权利要求11~15中任一项所述的拍摄装置,其特征在于,
所述第二布线图案是向所述传感器芯片供给时钟信号的时钟线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的