[发明专利]排气处理系统

权利要求书

1.一种从自半导体制造装置排出的至少含有氢和单硅烷的混合气体中回收单硅烷的排气处理系统，其特征在于，包括：

将从半导体制造装置排出的混合气体进行排气的泵部，和

从所述混合气体中分离并回收单硅烷，在半导体装置中进行再利用的硅烷气体处理部；

并且，使用氩作为向所述泵部导入的吹扫气体。

2.根据权利要求1所述的排气处理系统，其特征在于，

包括稀有气体处理部，从由所述硅烷气体处理部除去了单硅烷的富含氢的气体中，回收作为所述泵部的吹扫气体而导入的氩。

3.根据权利要求2所述的排气处理系统，其特征在于，

将由所述稀有气体处理部回收的氩作为所述泵部的吹扫气体进行再利用。

4.根据权利要求2或3所述的排气处理系统，其特征在于，

作为所述稀有气体处理部，采用膜分离。

5.根据权利要求1至4的任一项所述的排气处理系统，其特征在于，

所述硅烷气体处理部是含有沸石或活性碳作为吸附材料的吸附分离部。

6.根据权利要求1至5的任一项所述的排气处理系统，其特征在于，

作为从所述半导体装置中排出的混合气体，仅将从未使用掺杂气体的半导体装置排出的混合气体导入所述硅烷气体处理部。

7.根据权利要求1至6的任一项所述的排气处理系统，其特征在于，

还包括湿式洗涤部，将由所述硅烷气体处理部除去了单硅烷的氢-稀有气体富含气体中的杂质除去；

稀有气体处理部从使所述湿式洗涤部通气而得到的混合气体中回收氩。

8.根据权利要求7所述的排气处理系统，其特征在于，

将由所述稀有气体处理部回收的氩作为所述泵部的吹扫气体进行再利用。

9.根据权利要求1至8的任一项所述的排气处理系统，其特征在于，

包括硅烷气体提纯部，用于从由所述硅烷气体处理部分离的富含单硅烷的气体中除去单硅烷以外的杂质，并提纯回收单硅烷。

10.根据权利要求1至9的任一项所述的排气处理系统，其特征在于，包括：

用于将从所述泵部排出的混合气体升压并向后级供给的气体压缩部，

将由气体压缩部压缩的混合气体蓄压并贮藏的气体收容部，以及

从由所述气体收容部输送的混合气体中分离并回收单硅烷，在半导体装置中进行再利用的硅烷气体处理部；

控制所述气体压缩部中的压缩比，使得压缩后的混合气体的温度在70℃到250℃范围内。

11.根据权利要求1至10的任一项所述的排气处理系统，其特征在于，包括：

用于将从泵部排出的混合气体升压并向后级供给的气体压缩部，

将由所述气体压缩部压缩的混合气体蓄压并贮藏的气体收容部，

从由所述气体收容部输送的混合气体中主要分离出单硅烷的硅烷气体处理部，

用于将由硅烷气体处理部分离的混合气体中的单硅烷以外的杂质除去的硅烷气体提纯部，以及

将经过了硅烷气体提纯部的混合气体中的稀有气体成分分离的稀有气体/硅烷分离部；

其中，使用氩作为向所述泵部导入的吹扫气体。

12.根据权利要求11所述的排气处理系统，其特征在于，

对所述硅烷气体处理部设置泵部。

13.根据权利要求11或12所述的排气处理系统，其特征在于，

作为所述稀有气体/硅烷分离部，采用膜分离。