[发明专利]排气处理系统

说明书

技术领域

本发明涉及从半导体制造装置所排出的含有单硅烷的混合气体中分离回收单硅烷而进行再利用的系统。

背景技术

在从半导体制造装置、尤其是等离子体CVD装置中排出的排气中含有未使用的单硅烷。将该单硅烷分离回收而加以再利用，可期待能够提高单硅烷的利用效率、降低气体的使用费。

〔现有技术文献〕

〔专利文献〕

〔专利文献1〕日本特表2010―504436号公报

〔专利文献2〕国际公开第08/154293号文本

〔专利文献3〕日本专利公开平7-267625号公报

〔非专利文献〕

〔非专利文献1〕JOURNAL OF APPLIED PHYSICS105,074509（2009）

〔非专利文献2〕JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS354（2008）2268-2271

发明内容

发明要解决的问题

鉴于上述目的，也报告过将从半导体制造装置排出的单硅烷加以再利用的方法，然而这是将排气中的微粒用后级的过滤器捕捉，将穿过过滤器的含有单硅烷的气体向腔室循环这样的方法，单硅烷气体的纯度绝对不高，因而认为制作的半导体中含有杂质（参照专利文献1、专利文献2）。

此外，在从以往的作为太阳能电池制造装置的等离子体CVD装置中排出的排气中混入了在等离子体CVD装置的后级设置的干式泵的吹扫氮。报告过如果将含有氮的单硅烷气体在太阳能电池制造装置中循环而加以再利用，则制造的太阳能电池中会混入氮，性能下降（参照非专利文献1、非专利文献2）。

鉴于这些情况，也曾经尝试了将氮与单硅烷分离，但需要精馏塔这样的大规模设备，存在回收成本增高这样的问题（参照专利文献3）。

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于，提供效率良好地将从半导体制造装置排出的排气中所含的单硅烷进行分离回收，加以再利用，同时能够抑制向半导体制造装置混入杂质的排气处理系统和技术。

用于解决问题的方案

为了解决上述课题，本发明的一个方式的排气处理系统，是从自半导体制造装置排出的至少含有氢和单硅烷的混合气体中回收单硅烷的排气处理系统，其特征在于，具备：将从半导体制造装置排出的混合气体排气的泵部、和从所述混合气体分离并回收单硅烷并在半导体装置中进行再利用的硅烷气体处理部，作为向所述泵部导入的吹扫气体使用氩。

发明的效果

按照该方式，将从半导体制造装置排出的单硅烷进行分离回收，在半导体制造装置中循环而加以再利用，由此可以提高单硅烷的利用效率，降低运转成本。

此外，通过使用氩作为泵部的吹扫气体，能够降低回收的单硅烷中的杂质浓度，进而将使用的氩进行分离回收，在泵部中循环而加以再利用，由此可以提高吹扫气体的利用效率，降低运转成本。

进而，作为太阳能电池制造线，构成系统以使得仅对未添加掺杂气体的、只制作i（intrinsic：固有）层时所排出的气体进行回收和处理，由此可以效率良好地分离回收目标气体。

附图说明

图1是表示实施方式1中的排气处理系统的示意的一例的系统图。

图2是表示硅烷气体处理部的具体构成的示意图。

图3是表示稀有气体处理部的具体构成的示意图。

图4是更为详细地表示实施方式1的排气处理系统的构成的系统图。

图5是表示硅烷气体提纯部的具体构成的示意图。

图6是表示第一和第二提纯部的具体构成的示意图。

图7是表示实施例的排气处理系统的构成的示意图。

图8是表示作为实施例的排气处理系统中的硅烷气体处理部采用吸附分离时的具体构成的示意图。

图9作为实施例的排气处理系统中的硅烷气体处理部采用膜分离时的具体构成的示意图。

图10作为实施例的排气处理系统中的硅烷气体处理部采用深冷分离时的具体构成的示意图。

图11是表示实施例的排气处理系统中的硅烷提纯部的具体构成的示意图。

图12是表示实施方式2的排气处理系统的示意的一例的系统图。