[发明专利]裸芯预剥离设备和方法

权利要求书

1.一种将贴附在切片带上的半导体裸芯从所述切片带预剥离的设备，包括：

腔体，其具有底部基底，顶部开口和从所述基底的周边向上延伸的环形侧壁，所述侧壁具有基本平的顶表面；

盖子，设置于所述腔体上方，所述盖具有中心开口；

至少一个入口，设置于所述基底中；和

压强调节器，经由所述至少一个入口连接到所述腔体，

其中所述切片带设置于所述盖和所述侧壁的顶表面之间以气密地密封所述腔体的顶部开口，且

所述半导体裸芯位于所述腔体的顶部开口的正上方。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述压强调节器包括将流体经由所述入口提供到所述腔体的流体源。

3.如权利要求2所述的设备，其中所述流体包括气体或液体。

4.如权利要求3所述的设备，其中所述气体包括干燥的空气或干燥的氮气。

5.如权利要求2所述的设备，其中所述压强调节器还包括用来控制所述流体的流速的流体控制装置。

6.如权利要求1所述的设备，其中所述压强调节器包括真空泵。

7.如权利要求6所述的设备，还包括至少一个固定构件，将所述盖和所述切片带固定到所述侧壁的顶表面上。

8.如权利要求7所述的设备，其中所述固定构件包括螺钉、销子、夹子或铆钉。

9.如权利要求1所述的设备，还包括密封构件，设置于所述切片带和所述侧壁的顶部表面之间。

10.如权利要求9所述的设备，其中所述侧壁的顶部表面包括容纳所述密封构件的沟槽。

11.如权利要求9所述的设备，其中所述环形侧壁的顶部表面和所述盖均具有圆环状的横截面形状，且所述密封构件是O形环。

12.如权利要求9所述的设备，其中所述盖是晶片环。

13.如权利要求1所述的设备，其中所述基底具有平面或凸面。

14.如权利要求1所述的设备，其中所述至少一个入口设置于所述基底的中心或在所述基底的中心的附近。

15.如权利要求1所述的设备，还包括设置于所述腔体内的UV光源。

16.一种预剥离半导体裸芯的方法，包括以下的步骤：

将切片带设置于一腔体的上方，所述腔体具有底部基底、顶部开口和从所述基底的周边向上延伸的环形侧壁，使得所述切片带气密密封所述腔体的顶部开口，其中多个半导体裸芯贴附在所述切片带上，且位于所述腔体的顶部开口的正上方；

在所述切片带的相对两侧引入压强差，使得所述切片带变形以具有相对于所述腔体的顶部开口的凸或凹的形状；且

释放所述压强差。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述压强差由压强调节器引入，所述压强调节器经由设置于所述基底中的至少一个入口连接到所述腔体。

18.如权利要求17所述的方法，其中所述半导体裸芯放置于所述腔体外，且所述腔体内的压强大于所述腔体外的压强，使得所述切片带具有相对于所述腔体的顶部开口的凸的形状。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述压强调节器通过将流体引入所述腔体内从而增加了所述腔体内的压强。

20.如权利要求19所述的方法，其中所述腔体内的压强通过控制所述流体的流速而逐渐增加。

21.如权利要求17所述的方法，其中所述半导体裸芯放置于所述腔体内，且所述腔体内的压强小于所述腔体外的压强，使得所述切片带具有相对于所述腔体的顶部开口的凹的形状。

22.如权利要求21所述的方法，其中所述压强调节器使用真空泵来减小所述腔体内的压强。

23.如权利要求22所述的方法，其中所述腔体内的压强逐渐减小。

24.如权利要求16所述的方法，其中所述腔体内的压强在约0.01MPa－约0.5MPa的范围。

25.如权利要求16所述的方法，其中所述变形的切片带具有约0.06-0.3的高宽比。