[发明专利]大型基板以及用于均匀抛光的大型基板的抛光方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2010年8月2日在韩国提交的韩国专利申请第10-2010-0074710号的优先权，其公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开涉及一种大型板及其抛光方法，尤其涉及一种在板的抛光工艺期间能够将大型板的中心部分与边缘部分之间的抛光量的差异减到最小的抛光方法，以及一种用此方法生产的大型板。

背景技术

一般而言，由于机械的限制，将抛光机设计为比大型板小。在这种情况下，为了抛光大型板的整个表面，抛光机在抛光基板时进行移动。

参照图1，一般的抛光机的上板1在基板2的纵向（X轴方向）上移动的行程范围（travel range）P1是上板1的半径的60%到80%，并且上板1在基板2的横向（Y轴方向）上移动的行程范围P2是上板1的半径的50%到70%。在图1中，用点绘示的矩形表示在抛光工艺期间上板1的中心的移动路径。

如果上板1在移动了达到行程范围P1和P2的同时抛光大型板2，则大型板2的中心部分被较多抛光，而大型板2的边缘部分被较少抛光，这导致严重的抛光偏差。图2示出了抛光偏差，其中用红色绘示较多抛光量，并且用蓝色绘示较少抛光量。

由于当上板1沿着路径10移动时，上板1总是经过整个中心部分但经过仅仅是与中心部分的1/4相当的边缘部分的一部分，所以产生抛光偏差。

同时，抛光垫的抛光量受抛光垫的磨损状况和抛光垫施加到基板2的压力的影响。因此，为了减少抛光偏差，应该共同考虑抛光垫的磨损状况和抛光垫施加到基板2的压力。

发明内容

技术问题

本公开被设计为解决现有技术的问题，因此本公开的一个目的是提供一种在抛光大型板时能够将大型板的中心部分与边缘部分之间的抛光量的差异（或抛光偏差）减到最小的抛光方法。

尤其是，本公开的一个目的是提供一种通过共同考虑抛光垫的磨损状况和抛光垫施加到基板的压力能够将抛光量的差异（抛光偏差）减到最小的抛光方法。

本公开的另一个目的是提供一种用此抛光方法生产的大型板。

技术方案

为了实现上述目的，本公开提供一种用于抛光基板的方法，其中上板沿着四边形路径执行抛光工艺，并且其中上板在基板的纵向上移动的距离S1和上板在基板的横向上移动的距离S2是被安装在上板上的抛光垫的直径D的90%到100%。

优选地，路径形成矩形。

更优选地，路径形成正方形。

优选地，S1和S2具有由以下公式1和2计算的值中的最小值：

公式1

D-d

公式2

D′+D-D′2-(PendPeff)]]>

其中，

d：抛光垫的边缘部分中的磨损部分的径向长度的总和；

D'：抛光垫施加到基板的压力等于或大于适合磨损基板的有效压力（P_eff）的部分的直径；

P_end：在抛光垫除了磨损部分之外的部分中的最外面的点处，抛光垫施加到基板的压力；以及

P_eff：抛光垫施加到基板的适合磨损基板的压力。

另外，本公开还提供了一种用此抛光方法均匀地抛光的大型板。

附图说明

参照附图，从以下实施例的说明中，本公开的其它目的和方面将变得显而易见，其中：

图1是示出根据现有技术的当抛光大型板时抛光机的上板的中心的移动路径的示意图；

图2是示出在图1的抛光期间产生的抛光偏差的示意图；

图3是示出根据本公开的优选实施例的在抛光方法期间抛光机的上板的中心的移动路径的示意图；

图4是示出抛光垫与基板之间的接触状态的剖视图；