[发明专利]显示装置用基板及其制造方法、显示装置无效

专利信息
申请号: 201180039851.1 申请日: 2011-05-11
公开(公告)号: CN103069334A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 高西雄大;神崎庸辅;冈本哲也;齐藤裕一;中谷喜纪 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: G02F1/1368 分类号: G02F1/1368;G09F9/30;H01L29/786
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 用基板 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种显示装置用基板,其特征在于,包括:

绝缘基板;

设置在所述绝缘基板上的栅极绝缘层;

设置在所述栅极绝缘层上且包括铟镓锌氧化物(IGZO)的连接层;

设置在所述连接层上且包括钛或标准电极电位比钛低的金属的漏极电极;

形成于所述连接层和所述漏极电极的接触孔;和

设置在所述接触孔的表面上且与所述连接层接触的像素电极,

所述漏极电极与所述像素电极经由所述连接层电连接。

2.如权利要求1所述的显示装置用基板,其特征在于:

所述漏极电极包括:设置在所述连接层的表面上的第一导电层;和设置在该第一导电层的表面上的第二导电层,所述第一导电层包括所述钛。

3.一种显示装置用基板,其特征在于,包括:

绝缘基板;

设置在所述绝缘基板上的栅极配线;

以覆盖所述栅极配线的方式设置的栅极绝缘层;

设置在所述栅极绝缘层上且包括铟镓锌氧化物(IGZO)的连接层;

设置在所述连接层上且包括钛或标准电极电位比钛低的金属的源极配线;

形成于所述栅极绝缘层、所述连接层和所述源极配线的接触孔;和

设置在所述接触孔的表面上且与所述栅极配线和所述连接层接触的导电膜,

所述栅极配线与所述源极配线经由所述连接层和所述导电膜被电连接。

4.如权利要求3所述的显示装置用基板,其特征在于:

所述源极配线包括:设置在所述连接层的表面上的第一导电层;和设置在该第一导电层的表面上的第二导电层,所述第一导电层包括所述钛。

5.一种显示装置,其特征在于,包括:

权利要求1至4中任一项所述的显示装置用基板;

与所述显示装置用基板相对地配置的其它显示装置用基板;和

设置在所述显示装置用基板和所述其它显示装置用基板之间的显示介质层。

6.如权利要求5所述的显示装置,其特征在于:

所述显示介质层为液晶层。

7.一种显示装置用基板的制造方法,其特征在于,至少包括:

在绝缘基板上形成栅极绝缘层的栅极绝缘层形成工序;

在所述栅极绝缘层上形成包括铟镓锌氧化物(IGZO)的连接层的连接层形成工序;

在所述连接层上形成包括钛或标准电极电位比钛低的金属的漏极电极的漏极电极形成工序;

在所述连接层和所述漏极电极形成接触孔的接触孔形成工序;和

以与所述连接层接触的方式在所述接触孔的表面上形成像素电极,由此经由所述连接层将所述漏极电极与所述像素电极电连接的像素电极形成工序。

8.如权利要求7所述的显示装置用基板的制造方法,其特征在于:

在所述漏极电极形成工序中,在所述连接层的表面上形成包括钛的第一导电层,并且在该第一导电层上形成第二导电层,由此形成包括所述第一导电层和所述第二导电层的层叠膜的所述漏极电极。

9.一种显示装置用基板的制造方法,其特征在于,至少包括:

在绝缘基板上形成栅极配线的栅极配线形成工序;

以覆盖所述栅极配线的方式形成栅极绝缘层的栅极绝缘层形成工序;

在所述栅极绝缘层上形成包括铟镓锌氧化物(IGZO)的连接层的连接层形成工序;

在所述连接层上形成包括钛或标准电极电位比钛低的金属的源极配线的源极配线形成工序;

在所述栅极绝缘层、所述连接层和所述源极配线形成接触孔的接触孔形成工序;和

以与所述栅极配线和所述连接层接触的方式在所述接触孔的表面上形成导电膜,由此经由所述配线层和所述导电膜将所述栅极配线与所述源极配线电连接的导电膜形成工序。

10.如权利要求9所述的显示装置用基板的制造方法,其特征在于:

在所述源极配线形成工序中,在所述连接层的表面上形成包括钛的第一导电层,并且在该第一导电层上形成第二导电层,由此形成包括所述第一导电层和所述第二导电层的层叠膜的所述源极配线。

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