[发明专利]显示装置用基板及其制造方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置用基板，特别涉及使用有氧化物半导体的半导体层的显示装置用基板及其制造方法、显示装置。

背景技术

在薄膜晶体管基板（有源矩阵基板）中，按作为图像的最小单位的各像素，设置有薄膜晶体管（Thin Film Transistor，下面称为“TFT”）作为开关元件。

而且，在该薄膜晶体管基板中，通常，作为图像的最小单位即各像素的开关元件使用有薄膜晶体管，该薄膜晶体管使用有非晶硅的半导体层。

另外，普通的底栅型TFT例如具备：设置在绝缘基板上的栅极电极；以覆盖栅极电极的方式设置的栅极绝缘层；以与栅极电极重叠的方式呈岛状地设置在栅极绝缘层上的半导体层；和以相互对峙的方式设置在半导体层上的源极电极和漏极电极。

另外，在该底栅型TFT中，半导体层的沟道区域的上部由包括SiO₂等的层间绝缘膜覆盖，并且层间绝缘膜的表面由包括丙烯酸树脂等的平坦化膜覆盖。另外，在该平坦化膜上形成有由铟锡氧化物（ITO）形成的像素电极，漏极电极经由在层间绝缘膜和平坦化膜的层叠膜形成的接触孔与像素电极连接。

而且，在该平坦化膜上形成像素电极，由此制造薄膜晶体管基板，并且以与薄膜晶体管基板相对的方式设置对置基板，并在薄膜晶体管基板与对置基板之间设置液晶层，由此制造液晶显示装置（例如，参照专利文献1）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000－199917号公报

发明内容

发明要解决的问题

在此，在上述现有的薄膜晶体管基板中，漏极电极包括由钛形成的第一导电层和设置在第一导电层上且由铝形成的第二导电层的层叠膜。该第二导电层作为用于提高层间绝缘膜的蚀刻时的选择性的蚀刻阻止层发挥作用。

但是，形成第二导电层的铝与由ITO形成的像素电极的连接困难，因此，产生第二导电层与像素电极的连接不良，结果，存在显示品质降低的情况。

另外，还考虑经由半导体层连接漏极电极的第一导电层与像素电极，但在半导体层由非晶硅形成的情况下，由于非晶硅为高电阻，因此经由非晶硅层连接像素电极与漏极电极的第一导电层困难。

因此，在上述现有的薄膜晶体管基板中，存在下述问题：为了避免第二导电层与像素电极的连接不良，经由上述接触孔连接像素电极与漏极电极，需要对第二导电层实施蚀刻（湿蚀刻）并使对第二导电层实施的蚀刻向层间绝缘膜的下方位移，使第一导电层露出，以进行第一导电层与像素电极的连接，因此制造工序数增加。

在此，本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种不增加制造工序数就能够防止像素电极与漏极电极的连接不良，防止显示品质的降低的显示装置用基板及其制造方法、显示装置。

解决问题的手段

为了实现上述目的，本发明的显示装置用基板，其特征在于，包括：绝缘基板；设置在绝缘基板上的栅极绝缘层；设置在栅极绝缘层上且包括铟镓锌氧化物（IGZO）的连接层；设置在连接层上且包括钛或标准电极电位比钛低的金属的漏极电极；形成于连接层和漏极电极的接触孔；和设置在接触孔的表面上且与连接层接触的像素电极，其中，漏极电极与像素电极经由连接层电连接。

根据该结构，形成连接层的铟镓锌氧化物中的铟，被形成漏极电极的钛或标准电极电位比钛低的金属还原，连接层被低电阻化，因此能够经由被低电阻化的连接层将像素电极与漏极电极连接。因此，与上述现有技术不同，不需要进行用于连接像素电极与漏极电极的蚀刻处理。其结果，不增加制造工序数就能够防止像素电极与漏极电极的连接不良，防止显示品质的降低。

在本发明的显示装置用基板中，漏极电极包括：设置在连接层的表面上的第一导电层；和设置在该第一导电层的表面上的第二导电层，第一导电层包括钛。

根据该结构，即使在将漏极电极设为第一导电层和第二导电层的层叠结构并在像素电极与第二导电层之间发生连接不良的情况下，也能够经由被低电阻化的连接层将像素电极与漏极电极的第二导电层连接。

本发明的显示装置用基板，其特征在于，包括：绝缘基板；设置在绝缘基板上的栅极配线；以覆盖栅极配线的方式设置的栅极绝缘层；设置在栅极绝缘层上且包括铟镓锌氧化物（IGZO）的连接层；设置在连接层上且包括钛或标准电极电位比钛低的金属的源极配线；形成于栅极绝缘层、连接层和源极配线的接触孔；和设置在接触孔的表面上且与栅极配线和连接层接触的导电膜，其中，栅极配线与源极配线经由连接层和导电膜被电连接。