[发明专利]磁记录介质用软磁性合金、溅射靶材以及磁记录介质有效
申请号: | 201180040330.8 | 申请日: | 2011-08-19 |
公开(公告)号: | CN103098135A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 泽田俊之;长谷川浩之;岸田敦 | 申请(专利权)人: | 山阳特殊制钢株式会社 |
主分类号: | G11B5/667 | 分类号: | G11B5/667;C22C19/07;C23C14/34;G11B5/851 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 龚敏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 介质 磁性 合金 溅射 以及 | ||
1.一种磁记录介质用软磁性合金,
其以at.%计含有:
Zr及Hf的1种或2种:合计为6~20%、
B:1~20%、
Ti、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Ni、Al、Si、P的1种或2种以上:合计0~7%,
剩余部分含有Co和/或Fe、以及不可避免的杂质,
并且满足下式:
6≤2×(Zr%+Hf%)-B%≤16、以及
0≤Fe%/(Fe%+Co%)<0.20。
2.根据权利要求1所述的合金,其中,
所述合金以at.%计含有:
Zr及Hf的1种或2种:合计为6~20%、
B:1~20%、
Ti、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Ni、Al、Si、P的1种或2种以上:合计0~7%,
剩余部分仅由Co和/或Fe、以及不可避免的杂质构成。
3.根据权利要求1所述的合金,其中,
Fe的添加量满足下式:
0<Fe%/(Fe%+Co%)<0.20。
4.根据权利要求1所述的磁记录介质用软磁性合金,其中,
所述合金含有Ti、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Ni、Al、Si及P的1种或2种以上合计超过0%且在7%以下。
5.一种溅射靶材,其是利用权利要求1~4中任一项所述的合金制造而得的。
6.一种磁记录介质,其具备利用权利要求1~4中任一项所述的合金制造而得的软磁性膜层。
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