[发明专利]磁记录介质用软磁性合金、溅射靶材以及磁记录介质有效

专利信息
申请号: 201180040330.8 申请日: 2011-08-19
公开(公告)号: CN103098135A 公开(公告)日: 2013-05-08
发明(设计)人: 泽田俊之;长谷川浩之;岸田敦 申请(专利权)人: 山阳特殊制钢株式会社
主分类号: G11B5/667 分类号: G11B5/667;C22C19/07;C23C14/34;G11B5/851
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 龚敏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 记录 介质 磁性 合金 溅射 以及
【权利要求书】:

1.一种磁记录介质用软磁性合金,

其以at.%计含有:

Zr及Hf的1种或2种:合计为6~20%、

B:1~20%、

Ti、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Ni、Al、Si、P的1种或2种以上:合计0~7%,

剩余部分含有Co和/或Fe、以及不可避免的杂质,

并且满足下式:

6≤2×(Zr%+Hf%)-B%≤16、以及

0≤Fe%/(Fe%+Co%)<0.20。

2.根据权利要求1所述的合金,其中,

所述合金以at.%计含有:

Zr及Hf的1种或2种:合计为6~20%、

B:1~20%、

Ti、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Ni、Al、Si、P的1种或2种以上:合计0~7%,

剩余部分仅由Co和/或Fe、以及不可避免的杂质构成。

3.根据权利要求1所述的合金,其中,

Fe的添加量满足下式:

0<Fe%/(Fe%+Co%)<0.20。

4.根据权利要求1所述的磁记录介质用软磁性合金,其中,

所述合金含有Ti、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Ni、Al、Si及P的1种或2种以上合计超过0%且在7%以下。

5.一种溅射靶材,其是利用权利要求1~4中任一项所述的合金制造而得的。

6.一种磁记录介质,其具备利用权利要求1~4中任一项所述的合金制造而得的软磁性膜层。

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