[发明专利]磁记录介质用软磁性合金、溅射靶材以及磁记录介质

说明书

关联申请的相互参照

本申请主张基于2010年8月24日申请的日本专利申请2010-186876号的优先权，将其全部的公开内容利用参照纳入到本说明书中。

技术领域

本发明涉及作为垂直磁记录介质中的软磁性层膜来使用的Co-(Zr，Hf)-B系合金、溅射靶材以及磁记录介质。

背景技术

近年来，磁记录技术的进步十分显著，为了实现驱动器的大容量化，而推进了磁记录介质的高记录密度化。例如，可实现比以往已普及的面内磁记录介质更高的记录密度的垂直磁记录方式已经实用化。所谓垂直磁记录方式是指易磁化轴相对于垂直磁记录介质的磁性膜中的介质面以沿垂直方向进行取向的方式而形成，是适于高记录密度的方法。而且，在垂直磁记录方式中，开发出提高了记录灵敏度的具有磁记录膜层和软磁性膜层的双层记录介质。该磁记录膜层一般使用CoCrPt-SiO₂系合金。

另一方面，以往的软磁性膜层需要强磁性和无定形性，进而根据垂直磁记录介质的用途或使用环境，还附加地要求高饱和磁通密度、高耐腐蚀性、高硬度等各种特性。例如如日本特开2008-260970号公报(专利文献1)中所公开的那样，使用的是如下的材料，即，以作为耐腐蚀性高的强磁性元素的Co为基质，为了提高无定形性而添加了以Zr为代表的促进无定形化的元素而得的材料。

另外，如日本特开2008-299905号公报(专利文献2)中所公开的那样，通过添加Fe而获得高饱和磁通密度，通过添加B而获得高硬度。进而，近年来除了以往所要求的上述特性以外、还要求具有低矫顽磁力的软磁性膜用合金。

专利文献

专利文献1：日本特开2008-260970号公报

专利文献2：日本特开2008-299905号公报

发明内容

本发明人等此次对合金元素对垂直磁记录介质的软磁性膜用合金的矫顽磁力造成的影响详细地进行了研究，结果发现：通过将Zr、Hf及B量设为规定的范围，从而可以得到垂直磁记录介质用的低矫顽磁力软磁性合金。进而还发现：目前，垂直磁记录介质用软磁性合金作为主流而使用含有Fe25％到接近60％的合金来作为用于获得高饱和磁通密度的元素，因此使用大量Fe作为必需元素，而该Fe的添加会大幅度增大矫顽磁力。

因而，本发明的目的在于，提供具有低矫顽磁力、高无定形性、高耐腐蚀性及高硬度的垂直磁记录介质用软磁性合金、以及用于制作该合金的薄膜的溅射靶。

根据本发明的一种方式，提供一种磁记录介质用软磁性合金，其以at.％计含有：

Zr及Hf的1种或2种：合计为6～20％、

B：1～20％

Ti、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Ni、Al、Si、P的1种或2种以上：合计0～7％，

剩余部分含有Co和/或Fe、以及不可避免的杂质，并且满足下式：

6≤2×(Zr％+Hf％)-B％≤16、以及

0≤Fe％/(Fe％+Co％)＜0.20。

根据本发明的另一种方式，提供利用上述合金制造的溅射靶材。

根据本发明的另一种方式，提供具备利用上述合金制造的软磁性膜层的磁记录介质。

具体实施方式

以下对本发明进行具体说明。只要没有特别的明示，在本说明书中“％”就意味着at.％。

本发明的合金以at.％计含有(comprising)Zr及Hf的1种或2种合计为6～20％、含有B1～20％、含有Ti、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Ni、Al、Si、P的1种或2种以上合计为0～7％，剩余部分含有Co和/或Fe、以及不可避免的杂质，优选由这些元素实质上地构成(consisting essentially of)，更优选仅由这些元素构成(consisting of)。该合金还满足下式：

6≤2×(Zr％+Hf％)-B％≤16、以及

0≤Fe％/(Fe％+Co％)＜0.20。

本发明的合金含有Zr及Hf的1种或2种合计为6～20％、优选为10～15％。本发明的合金中Zr及Hf具有改善无定形性的效果、并且是用于通过实现与B添加量的相关性的最佳化而获得低矫顽磁力的必需元素，如果B添加量小于6％，则无法获得足够的无定形性、低矫顽磁力，另外如果超过20％，则无法获得饱和磁通密度。