[发明专利]用于光学发射分析的改善的火花室有效

专利信息
申请号: 201180042440.8 申请日: 2011-08-22
公开(公告)号: CN103080732A 公开(公告)日: 2013-05-01
发明(设计)人: J-L.多里耶;F.德马科;E.哈拉什 申请(专利权)人: 赛默飞世尔科技(埃居布朗)有限公司
主分类号: G01N21/67 分类号: G01N21/67
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 谢攀;卢江
地址: 瑞士埃*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要:
搜索关键词: 用于 光学 发射 分析 改善 火花室
【权利要求书】:

1.一种用于光学发射分析器的火花室,该火花室包括:

(1)定位在该火花室的一个第一侧上的一个进气口,该进气口用于将一种气体供应到该火花室中;以及

(2)定位在该火花室的一个第二侧上的一个出气口,该出气口被安排成从该火花室运输该气体;

其中一个狭长电极被定位在该火花室内,该电极具有总体上沿狭长方向的一个电极轴线;并且其中:

(a)该火花室的该第一侧和该第二侧在总体上垂直于该电极轴线的方向上位于该狭长电极的两侧;

(b)在该进气口与该出气口之间存在穿过该火花室的一个气流轴线;并且

(c)在沿从该进气口到该出气口的该气流轴线而过时,该火花室的垂直于该气流轴线的无阻碍的内部截面积在一个因数A内保持恒定,其中A位于1.0与2.0之间。

2.如权利要求1所述的火花室,其中A位于1.0与一个上限之间,该上限选自以下项中的一个:1.9、1.8、1.7、1.6、1.5、1.4、1.3、1.2以及1.1。

3.如权利要求1或2所述的火花室,其中该火花室包括一个部件,该部件被成形以便使该火花室的垂直于该气流轴线的该无阻碍的内部截面积在该因数A内恒定。

4.如权利要求3所述的火花室,其中该部件是大体上包围该狭长电极的一个绝缘体。

5.如权利要求4所述的火花室,其中该绝缘体不是关于该电极轴线旋转对称的。

6.如权利要求5所述的火花室,其中该绝缘体具有一个高度,该高度在沿该气流轴线从该进气口向该狭长电极行进时增大并且在沿该气流轴线从该狭长电极向该出气口行进时减小。

7.如以上权利要求中任一项所述的火花室,其中该火花室的内部体积是大体上圆柱形的,该火花室具有多个弯曲的壁,并且该狭长电极大约位于该圆柱体的轴线上。

8.如权利要求7所述的火花室,其中该进气口和出气口位于该圆柱体的这些弯曲的壁上。

9.如以上权利要求中任一项所述的火花室,其中该气流轴线是弯曲的。

10.如以上权利要求中任一项所述的火花室,其中该进气口和/或出气口在形状上是矩形的。

11.如权利要求10所述的火花室,其中该进气口和/或出气口具有的高度大体上等于该火花室在该进口和/或出口处的高度。

12.如权利要求7所述的火花室,在从属于权利要求3时,其中该部件是大体上根据图2a、图2b、图2c、图2d、图2e或图2f成形的。

13.如权利要求7所述的火花室,在沿该气流轴线从该进气口朝向该电极行进时,该圆柱体的未被占用的内部高度随着从该气流轴线到该室的这些弯曲的内壁的距离增大而减小,并且在沿该气流轴线从该电极朝向该出气口行进时,该室的该未被占用的内部高度随着该气流轴线到该室的这些弯曲的内壁的距离减小而增大。

14.一种光学发射光谱法的方法,该方法包括:提供一个火花室,该火花室具有定位在该火花室的一个第一侧上的一个进气口以及定位在该火花室的一个第二侧上的一个出气口,该进气口用于将一种气体供应到该火花室中,该出气口被安排成从该火花室运输该气体;将一个狭长电极安排在该火花室内,该电极具有总体上沿狭长方向的一个电极轴线;其中该火花室的该第一侧和该第二侧位于该狭长电极的两侧,这样使得在总体上垂直于该电极轴线的该进气口与该出气口之间存在穿过该火花室的一个气流轴线;并且其中在沿从该进气口到该出气口的该气流轴线而过时,该火花室的垂直于该气流轴线的该无阻碍的内部截面积在一个因数A内保持恒定,其中A位于1.0与2.0之间。

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