[发明专利]用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的微细结构体的制造方法有效
| 申请号： | 201180043435.9 | 申请日： | 2011-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN103098181A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 松永裕嗣;大户秀 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 抑制 微细 结构 图案 倒塌 处理 使用 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其为用于抑制由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液，含有选自具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物中的至少一种和水。
2.根据权利要求1所述的用于抑制图案倒塌的处理液，其中，具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物的含量为10ppm～30%。
3.根据权利要求1或2所述的用于抑制图案倒塌的处理液，其中，氟烷基是碳原子数为1～6的全氟烷基。
4.一种由氧化硅形成的微细结构体的制造方法，其特征在于，在湿式蚀刻或干式蚀刻之后的洗涤工序中，使用用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，该处理液含有选自具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物中的至少一种和水。
5.根据权利要求4所述的微细结构体的制造方法，其中，微细结构体为半导体装置或微机械。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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