[发明专利]用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的微细结构体的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的微细结构体的制造方法。

背景技术

以往，作为在半导体器件、电路基板等广泛的领域中使用的具有微细结构的元件的形成和加工方法，使用了光刻技术。该领域中，伴随着要求性能的高度化，半导体器件等的小型化、高集成化或高速化显著进行，光刻中使用的抗蚀图案日趋微细化，另外高宽比日趋增加。但是，随着这样进行微细化等，抗蚀图案的倒塌成为很大的问题。

已知抗蚀图案的倒塌是如此产生的：在将对抗蚀图案进行显影后的湿处理(主要是用于冲洗显影液的冲洗处理)中使用的处理液从该抗蚀图案上干燥时，起因于该处理液的表面张力的应力发挥作用，由此产生抗蚀图案的倒塌。因此，为了解决抗蚀图案的倒塌，提出了下述方法：利用使用了非离子性表面活性剂或醇系溶剂可溶性化合物等的低表面张力的液体替换洗涤液并进行干燥的方法(例如，参照专利文献1和2)；使抗蚀图案的表面疏水化的方法(例如，参照专利文献3)等。

然而，对于使用光刻技术形成的由金属、金属氮化物或金属氧化物、氧化硅、硅等所形成的微细结构体(抗蚀剂除外。若没有特别记载以下相同)，形成结构体的材料自身的强度比抗蚀图案自身的强度或抗蚀图案与基材的接合强度高，因此与抗蚀图案相比，该结构体图案的倒塌难以发生。但是，随着半导体装置或微机械的小型化、高集成化或高速化进一步发展，由该结构体的图案的微细化、以及高宽比的增加而导致的该结构体的图案的倒塌逐渐成为很大的问题。

因此，为了解决这些微细结构体图案的倒塌，提出了使用表面活性剂形成疏水性保护膜的方法(例如，参照专利文献4)。然而，对于表面活性剂，完全没有种类(非离子性、阴离子性、阳离子性等)、制品名、浓度等具体的记载。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-184648号公报

专利文献2：日本特开2005-309260号公报

专利文献3：日本特开2006-163314号公报

专利文献4：日本特开2010-114467号公报

发明内容

发明要解决的问题

如上所述，在半导体装置、微机械等微细结构体(尤其是由氧化硅形成的微细结构体)的领域中，实际情况是尚未知道抑制图案的倒塌的有效技术。

本发明是在该状况下进行的，其目的在于提供一种能够抑制半导体装置或微机械等由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的微细结构体的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明人为了实现上述目的反复进行了深入的研究，结果发现，利用含有选自具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物中的至少一种和水的处理液能够达到该目的。

本发明是基于上述见解而完成的。即，本发明的主旨如下所述。

1.一种用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，其为用于抑制由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液，含有选自具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物中的至少一种和水。

2.根据第1项所述的用于抑制图案倒塌的处理液，其中，具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物的含量为10ppm～30%。

3.根据第1项或第2项所述的用于抑制图案倒塌的处理液，其中，氟烷基是碳原子数为1～6的全氟烷基。

4.一种由氧化硅形成的微细结构体的制造方法，其特征在于，在湿式蚀刻或干式蚀刻之后的洗涤工序中，使用用于抑制微细结构体的图案倒塌的处理液，该处理液含有选自具有氟烷基的卤化铵、具有氟烷基的甜菜碱化合物及具有氟烷基的氧化胺化合物中的至少一种和水。

5.根据第4项所述的微细结构体的制造方法，其中，微细结构体为半导体装置或微机械。

发明的效果

根据本发明，可以提供一种能够抑制半导体装置或微机械等由氧化硅形成的微细结构体的图案倒塌的处理液和使用其的微细结构体的制造方法。

附图说明

图1是微细结构体的各制作阶段的截面示意图。

具体实施方式

(用于抑制图案倒塌的处理液)