[发明专利]薄层封装、具有薄层封装的光电子半导体本体和用于制造薄层封装的方法

权利要求书

1.用于光电子半导体本体的薄层封装（11），具有：

-借助于PVD法沉积的PVD层（6），和

-借助于CVD法沉积的CVD层（10）。

2.根据上一项权利要求所述的薄层封装（11），其中所述PVD层（6）和所述CVD层（10）构成共同的边界面。

3.根据上一项权利要求所述的薄层封装（11），其中所述PVD层（6）构成为是导电的。

4.根据上述权利要求之一所述的薄层封装（11），其中所述PVD层（6）的厚度位于50nm和400nm之间，其中包括边界值。

5.根据上述权利要求之一所述的薄层封装（11），其中所述PVD层（6）具有下述材料中的一种：钛、钨、钛钨、氮化钛、氮化钨、钛钨氮化物、铂、镍、金、钽。

6.根据上述权利要求之一所述的薄层封装（11），其中所述CVD层（10）的厚度位于2nm和20nm之间，其中包括边界值。

7.根据上述权利要求之一所述的薄层封装（11），其中所述CVD层（10）具有下述材料中的一种：硅、氧化硅、氮化硅、氮化钛。

8.根据上述权利要求之一所述的薄层封装（11），所述薄层封装具有多个交替设置的CVD层（10）和PVD层（6，13）。

9.根据上述权利要求之一所述的薄层封装（11），其中

-所述CVD层（10）直接地施加在所述PVD层（6）上，并且

-对所述CVD层（10）进行回蚀，使得所述CVD层（10）仅填充在所述PVD层（6）中的薄弱部位。

10.根据上一项权利要求所述的薄层封装（11），其中在回蚀的所述CVD层（10）上设置借助于PVD法沉积的另一PVD层（13）。

11.根据权利要求9至10之一所述的薄层封装（11），其中所述CVD层（10）具有电绝缘的材料。

12.具有根据上述权利要求之一所述的薄层封装（11）的光电子半导体本体，所述薄层封装对所述半导体本体的金属元件进行封装。

13.根据上一项权利要求所述的光电子半导体本体，其中所述金属元件是电接触部或反射层（4）。

14.根据权利要求12至13之一所述的光电子半导体本体，其中所述金属元件具有下述材料中的一种：银、铝、金、钛、镍。

15.用于制造薄层封装（11）的方法，具有以下步骤：

-借助于PVD法沉积PVD层（6），和

-借助于CVD法沉积CVD层（10）。