[发明专利]薄层封装、具有薄层封装的光电子半导体本体和用于制造薄层封装的方法

说明书

技术领域

提出一种薄层封装、一种具有薄层封装的光电子半导体本体和一种用于制造薄层封装的方法。

发明内容

本发明的目的在于提出一种尤其用于光电子半导体本体的薄层封装，所述薄层封装适合于良好地封装具有形貌上不平坦部的表面。

此外，应提出一种具有所述薄层封装的光电子半导体本体以及一种用于制造所述薄层封装的方法。

所述目的通过具有权利要求1的特征的薄层封装、通过具有权利要求12的特征的光电子半导体本体和具有权利要求15的步骤的方法来实现。

有利的改进形式以及实施形式在从属权利要求中提出。

用于光电子半导体本体的薄层封装尤其具有以下层：

-借助于PVD（物理气相沉积）法沉积的PVD层，和

-借助于CVD（化学气相沉积）法沉积的CVD层。

在PVD法（“physical vapour deposition”，物理气相沉积）中，将待覆层的表面在一定体积中、例如在容器中提供。此外，在所述体积中提供气相的原材料。原材料直接地冷凝在表面上进而在表面上构成固态的PVD层。

尤其热蒸镀以及溅镀属于PVD法，在热蒸镀中原材料通过施加温度转化成气相，在溅镀中原材料通过离子轰击转化成气相。此外，电子束蒸镀也是PVD法，其中原材料借助于电子束转化成气相。通常PVD层典型地表示出结晶界限，其中PVD层的扩散系数沿着结晶界限通常明显高于在体积材料中。

在CVD法（“chemical vapour deposition”，化学气相沉积）中，同样在一定体积中提供待覆层的表面。此外，在所述体积中提供至少一种原材料，由所述原材料通过化学反应在待覆层的表面上沉积出固态的CVD层。通常，在所述体积中存在至少一种第二原材料，第一原材料与所述第二原材料在表面上形成固态的CVD层的情况下进行化学反应。因此，CVD法的特征在于待覆层的表面上的至少一种化学反应以用于形成CVD层。通常，化学反应在特定的反应温度下发生。尤其优选地，待覆层的表面具有使用于形成固态的CVD层的化学反应发生的反应温度。在化学气相沉积中也能够使用多于两种的原材料。

目前，尤其将CVD法理解成以下方法：PECVD法（“plasma enhanced chemical vapour deposition”，等离子增强化学气相沉积），MOCVD法（“metal organic chemical vapour deposition”，金属有机化学气相沉积），ALD法（“atomic layer deposition”，原子层沉积）和NLD法（“nano layer deposition”，纳米层沉积）。

在PECVD法中，通常在化学沉积时点燃在体积中的等离子，而在MOCVD法中，在使用至少一种金属有机的原始化合物情况下进行化学沉积。

目前将原子层沉积（atomic layer deposition，ALD）称作CVD法，其中将第一气态的原材料输入到体积中，在所述体积中提供待覆层的表面，使得第一气态的原材料吸附在表面上。在用原材料的原子层或分子层将表面优选完全地或几乎完全地覆盖之后，沉积饱和并且不再沉积有另外的材料。随后，第一原材料中仍气态的或以还未吸附在表面上存在的部分通常再次从体积中移除并且输入第二原材料。第二原材料设为用于与在表面上吸附的第一原始化合物在形成固态的ALD层的情况下进行化学反应。这两种上述的工艺步骤多次重复，直至实现ALD层的期望的厚度。

目前将NLD法称作CVD法，其中在达到层厚的预设值之后，中断CVD层的层生长。所述预设值优选位于0.5nm和5nm之间，其中包括边界值。在下一步骤中，对所述层进行等离子处理。通常，通过等离子处理，有利地将气态的原材料中没有完全反应掉的剩余物移除，所述剩余物通常是有机性质的。这通常正面地影响层特性。多次重复CVD沉积和等离子处理，直至达到NLD层的期望的层厚。

不同于ALD法，借助于NLD法沉积厚度超出原子层的CVD层在工艺步骤中是可能的。

目前此外尤其也应将CVD法理解成下述方法，其中在体积中，除了待覆层的表面之外，仅提供唯一的气态原材料，所述唯一的气态原材料为了形成固态的CVD层与待覆层的表面的化学基团进行化学反应。例如，能够在体积中提供气态的六甲基二硅烷（HMDS）作为原材料，所述原材料与表面上的、例如半导体表面上的OH基团形成作为CVD层的固态的HMDS层。