[发明专利]制造半导体装置和电子设备的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其中形成在半导体衬底上的多个半导体元件由槽隔离区所隔离，所述方法包括：

在所述半导体衬底的表面上形成槽隔离沟，从而隔离在其上将形成所述半导体元件的元件区；

在所述槽隔离沟中嵌入电介质材料从而形成所述槽隔离区；

在所述半导体衬底的所述表面上选择性地形成抗氧化膜来覆盖所述槽隔离区；和

在多个半导体元件中非最大尺寸的预定尺寸半导体元件的元件区内、使用所述抗氧化膜作为掩模，形成比所述预定尺寸的半导体元件所要求的热氧化膜的厚度更厚的厚热氧化膜。

2.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，

所述半导体装置包括在高压下操作的高压半导体元件和在低压下操作的低压半导体元件作为所述多个半导体元件，

所述低压半导体元件是具有预定尺寸的半导体元件，且

所述厚热氧化膜具有满足在所述高压半导体元件内所要求的击穿电压的膜厚度。

3.如权利要求2所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，

形成所述抗氧化膜来从所述槽隔离区伸出，以预定交迭量与和所述槽隔离区相邻的元件区相交迭。

4.如权利要求3所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，

在其中所述抗氧化膜和所述元件区交迭的交迭区中的所述抗氧化膜之下，形成比将在所述元件区中形成的半导体元件所要求的热氧化膜的膜厚度更厚的氧化层。

5.如权利要求4所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，在所述元件区上形成所述热氧化膜包括：

在形成所述抗氧化膜后，在其中将形成高压半导体元件的高压元件区和其中将形成低压半导体元件的低压元件区中形成满足在所述高压半导体元件中所要求的击穿电压的厚热氧化膜；

移除在所述低压元件区中形成的所述厚热氧化膜并形成满足在所述低压半导体元件中所要求的击穿电压的薄热氧化膜。

6.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，

形成所述槽隔离区包括，通过热氧化，在形成在作为所述半导体衬底的硅衬底上的槽隔离沟的内表面上形成槽内热氧化膜，且其中

在形成所述槽内热氧化膜后，通过在所述槽隔离沟内嵌入电介质材料来形成槽隔离区。

7.如权利要求6所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，

形成所述槽隔离区包括通过热氧化在所述槽隔离沟的所述内表面上形成牺牲氧化膜，从而吸收在所述槽隔离沟的所述内表面上的蚀刻损伤，且其中

在移除所述牺牲热氧化膜后在所述槽隔离沟的所述内表面上形成所述槽内热氧化膜，且然后通过在所述槽隔离沟内嵌入电介质材料来形成槽隔离区。

8.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，形成所述槽隔离区包括：

在作为半导体衬底的硅衬底上形成第一热氧化膜；

在所述第一热氧化膜上形成第一氮化硅膜；

图案化所述第一氮化硅膜从而在与所述元件区对应的部分处形成开口；和

用所述图案化的第一氮化硅膜作为掩模来选择性蚀刻所述第一热氧化膜和所述硅衬底以形成所述槽隔离沟。

9.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，比预定尺寸的半导体元件中所要求的热氧化膜的厚度更厚的所述厚热氧化膜具有10nm或更大的膜厚度。

10.如权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述抗氧化膜的厚度是0.02um或更大。

11.如权利要求3所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，所述交迭量是0.2um或更大。

12.如权利要求2所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，

所述高压半导体元件是构成所述半导体装置的输入/输出部且在大于等于5V且小于等于40V范围内的栅电压下操作的高压MOS晶体管，且

所述低压半导体元件是在大于等于1.2V且小于等于3.3V范围内的栅电压下操作的低压MOS晶体管。

13.安装有半导体装置的电子设备，其中所述半导体装置是通过如权利要求1-12中任一个所述的制造半导体装置的方法所制造的。