[发明专利]光电子器件和用于制造所述光电子器件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光电子器件和用于制造所述光电子器件的方法。

相关申请的交叉参引

本申请要求德国专利申请10 2010 045 403.6的优先权，其公开内容在此通过引用并入本文。

背景技术

从参考文献WO 00/65664中已知一种光电子器件，其中发射辐射的半导体芯片在其基面上安装到载体的连接区域上并且在对置的辐射出射面上具有连接接触部，所述连接接触部借助于接合线与载体的另一连接区域连接。半导体芯片和接合线设置在壳体的凹部中，其中壳体的用于反射的侧壁构成用于由半导体芯片发射的辐射的反射器。半导体芯片和接合线嵌入到透明的浇注件中，所述浇注件具有用于对由半导体芯片发射的辐射进行波长转换的发光转换材料。此外，将透镜粘贴到透明的浇注材料上，所述透镜用于对所发射的辐射进行射束成形。

发明内容

本发明基于下述目的，提出一种光电子器件，其特征在于更紧凑的结构、改进的辐射产额和相对简单的制造方法。此外，应说明一种用于制造所述器件的有利的方法。

所述目的通过具有独立权利要求的特征的光电子器件和方法来实现。本发明的有利的设计方案和改进形式是从属权利要求的主题。

根据一个实施形式，光电子器件包括载体，所述载体具有第一连接区域和第二连接区域。此外，光电子器件包括发射辐射的半导体芯片，所述半导体芯片具有基面和与基面对置的辐射出射面，其中半导体芯片以基面设置在载体上。

此外光电子器件有利地包含具有下部壳体部件和上部壳体部件的壳体，所述下部壳体部件设置在载体上并且邻接于半导体芯片的侧面，所述上部壳体部件设置在下部壳体部件上并且构成用于由半导体芯片发射的辐射的反射器。

电连接层从半导体芯片的辐射出射面经由下部壳体部件和上部壳体部件之间的边界面的一部分并且穿过下部壳体部件引导至载体上的第一连接区域。

如此构造的光电子器件的特征尤其在于紧凑的结构。特别地，下部壳体部件直接邻接于半导体芯片的侧面。这尤其能够通过下述内容实现：半导体芯片没有如传统地借助于从半导体芯片的辐射出射面引导至载体上的连接区域的接合线来接触。替代于此，有利地进行半导体芯片的接触，使得引导电连接层从半导体芯片的辐射出射面经由邻接于半导体芯片的侧面的下部壳体部件的边界面在侧向方向上远离半导体芯片。因此，连接层以距半导体芯片的一段距离延伸穿过下部壳体部件直至载体上的第一连接区域。因此，尤其无接合线地接触发射辐射的半导体芯片。

半导体芯片的第二连接接触部尤其能够通过将半导体芯片以基面安装到载体的第二连接区域上来实现。

在一个优选的设计方案中，下部壳体部件和/或上部壳体部件具有基本材料，将提高基本材料的反射的颗粒嵌入到所述基本材料中。

下部壳体部件和/或上部壳体部件的基本材料优选为硅树脂。特别地，下部壳体部件和上部壳体部件具有例如为硅树脂的相同的基本材料。

颗粒优选为TiO₂颗粒。通过将TiO₂颗粒嵌入到下部壳体部件的和/或上部壳体部件的基本材料中，与没有嵌入的TiO₂颗粒的壳体材料相比，有利地增加基本材料的反射，因为TiO₂具有相对大的折射率、尤其是与硅树脂相比更大的折射率。此外，辐射在颗粒上散射，使得在颗粒在下部壳体部件和/或上部壳体部件的材料中的重量比足够大的情况下，将显著大比例的辐射散射回到入射方向上。

颗粒在下部壳体部件和/或上部壳体部件中的重量比优选在5%和50%之间。已证实的是，在尤其为TiO₂颗粒的用于提高反射的颗粒的所述浓度下，能够观测到反射的提高。

壳体材料的借助于嵌入颗粒提高的反射在下部壳体部件的情况下具有下述优点，通过下部壳体部件的邻接于半导体芯片的侧面的用于反射的壳体材料阻止沿侧向方向从半导体芯片中进行不期望的辐射耦合输出。因此，由半导体芯片在侧向方向上发射的辐射由下部壳体部件至少部分地反射回到半导体芯片中，使得所述辐射比尤其在半导体芯片之内的一次或多次其他的反射之后转向至半导体芯片的辐射出射面。

在上部壳体部件的情况下，借助于嵌入到基本材料中的颗粒而提高的反射是有利的，因为上部壳体部件构成用于由半导体芯片发射的辐射的反射器。