[发明专利]集成的无源器件和功率放大器有效
申请号: | 201180045796.7 | 申请日: | 2011-09-16 |
公开(公告)号: | CN103119703A | 公开(公告)日: | 2013-05-22 |
发明(设计)人: | J·P·布莱克;R·V·夏诺伊;E·P·格瑟夫;A·哈德吉克里斯托;T·A·迈尔斯;J·金;M·F·维伦茨;J-H·J·兰;C·S·罗 | 申请(专利权)人: | 高通MEMS科技公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;G02B26/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 无源 器件 功率放大器 | ||
1.一种集成器件,包括:
玻璃基板,其具有第一表面和与所述第一表面基本平行的第二表面;
至少一个无源组件,其由布置在所述第一表面上的至少一个图案化层形成;
集成电路管芯,其附连至所述玻璃基板的所述第一表面;以及
多个透玻通孔,其延伸于所述玻璃基板的所述第一表面和所述第二表面之间,其中所述集成电路管芯电连接至所述至少一个无源组件和至少一个透玻通孔。
2.如权利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述至少一个无源组件是电容器或电感器。
3.如权利要求1或2所述的集成器件,其特征在于,所述至少一个无源组件包括功率组合器。
4.如权利要求1到3中的任一项所述的集成器件,其特征在于,所述集成电路管芯包括功率放大器电路。
5.如权利要求1到4中的任一项所述的集成器件,其特征在于,所述至少一个无源组件和所述集成电路管芯形成功率放大系统。
6.如权利要求1至5中任一项所述的集成器件,其特征在于,还包括:
延伸于所述玻璃基板的所述第一表面和所述第二表面之间的热通孔,所述热通孔与所述集成电路管芯热接触。
7.一种装置,包括:
包括传导通孔的第一基板;
沉积在所述第一基板的第一侧上的功率组合器电路,所述功率组合器电路包括沉积在所述第一基板的至少所述第一侧上的多个无源器件;以及
包括形成在第二基板上的功率放大器电路的功率放大器芯片,所述功率放大器芯片布置在所述功率组合器电路上并被配置成用于与所述功率组合器电路电连接,
其中所述功率放大器电路和所述功率组合器电路形成功率放大系统,且其中所述传导通孔包括被配置用于传导来自所述功率放大系统的热量的至少一个热通孔以及被配置用于所述功率放大系统与所述第一基板的第二侧上的导体之间的电连接的一个或多个互连通孔。
8.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述第二基板是玻璃基板、硅基板、分层的硅-绝缘体-硅基板、砷化镓基板、或蓝宝石上覆硅基板。
9.如权利要求7或8所述的装置,其特征在于,还包括所述第一基板的所述第二侧上的金属化垫片,其中所述互连通孔被配置用于所述功率放大系统与所述金属化垫片之间的电连接。
10.如权利要求7到9中任一项所述的装置,其特征在于,所述功率放大器芯片被配置成用于经由焊料凸块与所述功率组合器电路电连接。
11.如权利要求7到10中任一项所述的装置,其特征在于,所述功率放大器芯片覆盖所述无源器件的至少一部分。
12.如权利要求7到11中任一项所述的装置,其特征在于,还包括沉积在所述第一基板的第二侧上并被配置成用于与所述功率放大系统电连接的至少一个无源器件或有源器件。
13.如权利要求7到12中任一项所述的装置,其特征在于,还包括:
显示器;
配置成与所述显示器通信的处理器,所述处理器被配置成处理图像数据;以及
存储器设备,其配置成与所述处理器通信。
14.如权利要求13所述的装置,其特征在于,还包括:
驱动器电路,其配置成将至少一个信号发送给所述显示器;以及
控制器,其配置成将所述图像数据的至少一部分发送至所述驱动器电路。
15.如权利要求13所述的装置,其特征在于,还包括:
输入设备,其配置成接收输入数据并将所述输入数据传达给所述处理器。
16.如权利要求13所述的装置,其特征在于,还包括接收器、收发器、和发射器中的至少一者。
17.如权利要求7到16中任一项所述的装置,其特征在于,至少一个热通孔比至少一个互连通孔宽。
18.如权利要求7到17中任一项所述的装置,其特征在于,还包括沉积在所述第一基板的所述第一侧上的至少一个有源组件。
19.如权利要求7到18中任一项所述的装置,其特征在于,所述多个无源器件包括电阻器、电容器、可变电容器、可变电抗器、电感器、滤波器、变压器、耦合器、有向耦合器、功率分配器、传输线、波导、或天线中的至少一者。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造