[发明专利]集成的无源器件和功率放大器

说明书

优先权要求

本申请要求提交于2010年9月23日题为“INTEGRATED MEMS-BASED PASSIVES AND POWER AMPLIFIER（集成的基于MEMS的无源器件和功率放大器）”的美国临时专利申请号61/385,913（代理人案号QUALP043P/102795P1）的优先权，该临时专利申请通过援引并出于所有用途被包括于此。

技术领域

本公开涉及机电及微电子系统。

相关技术描述

机电系统（EMS）包括具有电气及机械元件、致动器、换能器、传感器、光学组件（包括镜子）以及电子器件的设备。机电系统可以在各种尺度上制造，包括但不限于微米尺度和纳米尺度。例如，微机电系统（MEMS）器件可包括具有范围从大约一微米到数百微米或以上的大小的结构。纳米机电系统（NEMS）器件可包括具有小于一微米的大小（包括，例如小于几百纳米的大小）的结构。机电元件可使用沉积、蚀刻、光刻和/或蚀刻掉基板和/或所沉积材料层的部分或添加层以形成电气及机电器件的其它微机械加工工艺来制作。

一种类型的EMS器件被称为干涉测量（interferometric）调制器（IMOD）。如本文所使用的，术语干涉测量调制器或干涉测量光调制器是指使用光学干涉原理来选择性地吸收和/或反射光的器件。在一些实现中，干涉测量调制器可包括一对导电板，这对导电板中的一者或两者可以是完全或部分透明的和/或反射性的，且能够在施加恰适电信号时进行相对运动。在一实现中，一块板可包括沉积在基板上的静止层，而另一块板可包括与该静止层相隔一气隙的反射膜。一块板相对于另一块板的位置可改变入射在该干涉测量调制器上的光的光学干涉。干涉测量调制器器件具有范围广泛的应用，且预期将用于改善现有产品以及创造新产品，尤其是具有显示能力的那些产品。

近来，对制造小型功率放大器的兴趣在增长。例如，一些功率放大器已被制造在绝缘体上覆硅（SOI）型的互补金属氧化物半导体（CMOS）上。尽管此类功率放大器一般是令人满意的，但仍期望提供具有更小的尺寸、更少的外封装组件以及更高的性能的改善的小型功率放大器。

概述

本公开的系统、方法和设备各自具有若干个创新性方面，其中并不由任何单个方面全权负责本文中所公开的期望属性。

本文描述的一些实现提供一种器件，该器件包括在其上形成有至少一个无源组件的基板。该基板可以是玻璃基板。集成电路管芯可被附连至该基板的第一表面。多个通孔可穿过该基板在该基板的第一表面和第二表面之间延伸。该些通孔可以是导电和/或导热的。该集成电路管芯可电连接至至少一个无源组件和至少一个通孔。该集成电路管芯可以是包括功率放大器电路的功率放大器芯片。在一些实现中，这些无源器件中的至少一些可形成功率组合器电路。该功率放大器芯片和该功率组合器电路可形成功率放大系统。

本文描述的一些实现涉及一种集成器件，该集成器件包括具有第一表面和与该第一表面基本平行的第二表面的玻璃基板。该集成器件可具有由布置在该第一表面上的至少一个图案化层形成的至少一个无源组件、以及附连至该玻璃基板的该第一表面的集成电路管芯。该集成器件可具有延伸于该玻璃基板的第一表面和第二表面之间的多个透玻通孔。该集成电路管芯可电连接至该至少一个无源组件和至少一个透玻通孔。

至少一个无源组件可以是电阻器、电容器、可变电容器、可变电抗器、电感器、滤波器、变压器、耦合器、定向耦合器、功率分配器、传输线、波导、和/或天线。在一些实现中，多个无源组件可形成功率组合器。该集成电路管芯可包括功率放大器电路。该至少一个无源组件和该集成电路管芯可形成功率放大系统。该集成器件可包括延伸于该玻璃基板的第一表面和第二表面之间的热通孔。该热通孔可与该集成电路管芯热接触。

替换装置可包括具有传导通孔以及沉积了功率组合器电路的第一基板。在一些实现中，该第一基板可以是玻璃基板。该功率组合器电路可包括沉积在该第一基板的至少第一侧上的多个无源器件。这多个无源器件可包括电阻器、电容器、可变电容器、可变电抗器、电感器、滤波器、变压器、耦合器、定向耦合器、功率分配器、传输线、波导、和/或天线中的至少一者。该装置还可包括沉积在第一基板的该第一侧上的至少一个有源组件。