[发明专利]发光元件搭载用陶瓷基体以及发光装置有效
申请号: | 201180046312.0 | 申请日: | 2011-09-28 |
公开(公告)号: | CN103124705A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 四方邦英;草野一英 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | C04B35/111 | 分类号: | C04B35/111;G02B5/08;H01L33/48 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 齐秀凤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 搭载 陶瓷 基体 以及 装置 | ||
1.一种发光元件搭载用陶瓷基体,是由陶瓷烧结体构成且具有搭载发光元件的搭载部的发光元件搭载用陶瓷烧结体,其特征在于,
所述搭载部侧的表层部中的结晶粒径的当量圆直径为0.2μm以上且1.0μm以下的结晶的比例在45%以上且80%以下,当量圆直径为2.0μm以上且6.0μm以下的结晶的比例在5%以上且15%以下,并且当量圆直径超过6.0μm的结晶的比例在2.7%以下。
2.根据权利要求1所述的发光元件搭载用陶瓷基体,其特征在于,
所述陶瓷烧结体含有94质量%以上的氧化铝而构成。
3.根据权利要求1或2所述的发光元件搭载用陶瓷基体,其特征在于,
所述结晶粒径的最大粒径为6.0μm以下。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的发光元件搭载用陶瓷基体,其特征在于,
平均结晶粒径的当量圆直径在0.7μm以上且1.3μm以下。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的发光元件搭载用陶瓷基体,其特征在于,
所述陶瓷烧结体具有在所述结晶的结晶粒子间形成的晶界相,所述晶界相的平均宽度在2nm以下。
6.一种发光装置,其特征在于,
在权利要求1~5中任一项所述的发光元件搭载用陶瓷基体上搭载了发光元件。
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