[发明专利]发光元件搭载用陶瓷基体以及发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及发光元件搭载用陶瓷基体、以及在该发光元件搭载用陶瓷基体上搭载发光元件而构成的发光装置。

背景技术

近年来，作为可成批生产的高亮度且消耗电力少的发光元件，LED(发光二极管)受到关注。而且，从一般照明用到发光显示板用的光源、便携电话机、个人电脑以及电视机等的背光灯被广泛利用。

对于用于搭载这种发光元件的基体，要求基体本身具有高反射率、散热性良好。

针对这种要求，在专利文献1中公开了如下内容：半导体发光元件用的高反射白色陶瓷基板由氧化铝和玻璃质成分构成，气孔率为5％，氧化铝的含有率为75～85重量％，作为玻璃质成分而含有硅石、钙、镁以及钡，氧化铝的平均结晶粒径为0.5μm以下，因此使波长为400～740nm的光的反射率为90～93％以上。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-284333号公报

发明内容

(发明所要解决的课题)

然而，专利文献1所公开的半导体发光元件用的高反射白色陶瓷根据实施例可知是一种含有75～85重量％的矾土、含有约25～15重量％的作为玻璃质成分的硅石、钡、钙以及镁的氧化物的烧结体，虽然可获得波长为400～740nm的反射率在90％以上的特性，但是由于矾土的结晶粒径在0.5μm以下，因此导热系数变低，冷却发光元件的作用降低，故存在发光元件的寿命变短的问题。

本发明正是为了解决上述课题而提出的，其目的在于提供一种可获得高反射率且能使散热性良好、延长发光元件的寿命的导热系数高的发光元件搭载用陶瓷基体。

(用于解决课题的方案)

本发明的发光元件搭载用陶瓷基体由陶瓷烧结体构成且具有搭载发光元件的搭载部，其特征在于，所述搭载部侧的表层部中的结晶粒径的当量圆直径为0.2μm以上且1.0μm以下的结晶的比例在45％以上且80％以下，当量圆直径为2.0μm以上且6.0μm以下的结晶的比例在5％以上且15％以下，并且当量圆直径超过6.0μm的结晶的比例为2.7％以下。

此外，本发明的发光装置的特征在于搭载了上述构成的发光元件搭载用陶瓷基体。

(发明效果)

本发明的发光元件搭载用陶瓷基体是由陶瓷烧结体构成且具有搭载发光元件的搭载部的发光元件搭载用陶瓷烧结体，所述搭载部侧的表层部中的结晶粒径的当量圆直径为0.2μm以上且1.0μm以下的结晶的比例在45％以上且80％以下，当量圆直径为2.0μm以上且6.0μm以下的结晶的比例在5％以上且15％以下，并且当量圆直径超过6.0μm的结晶的比例在2.7％以下，因此具有高反射率，容易将导热系数维持在较高的状态。

此外，通过作为在上述构成的发光元件搭载用陶瓷基体上搭载了发光元件的发光装置，由此具有高反射率，并且能够提高发光元件的散热性，因此能够延长寿命。

附图说明

图1是表示在本实施方式的发光元件搭载用陶瓷基体上搭载了发光元件的发光装置的构成的一例的剖视图。

图2是表示入射光向本实施方式的发光元件搭载用陶瓷基体的表面散射的状态的概念图。

图3是表示本实施方式的发光元件搭载用陶瓷基体的结晶粒子的电子显微镜照片。

图4是在本实施方式的发光元件搭载用陶瓷基体中表示在晶界相漫反射光散射的状态的概念图。

图5是在本实施方式的发光元件搭载用陶瓷基体中表示结晶粒子以及在结晶粒子间形成的晶界相的概念图。

具体实施方式

以下，说明本发明的发光元件搭载用陶瓷基体的实施方式的例子。

图1是表示在本实施方式的发光元件搭载用陶瓷基体上搭载了发光元件的发光装置的构成的一例的剖视图。