[发明专利]半导体芯片拾取装置及使用该装置的半导体芯片拾取方法有效
申请号: | 201180046319.2 | 申请日: | 2011-08-01 |
公开(公告)号: | CN103155125A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 中泽基树;佐佐木真一;藤井明子 | 申请(专利权)人: | 株式会社新川 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;H01L21/67 |
代理公司: | 北京龙双利达知识产权代理有限公司 11329 | 代理人: | 王礼华;毛威 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 拾取 装置 使用 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体芯片拾取装置(semiconductor die pickup device)的结构以及使用该装置的半导体芯片拾取方法。
背景技术
半导体芯片是将6英寸或8英寸大小的晶片切断成所定大小制造。为了不使得切断时切断的半导体芯片零乱,在背面粘接具有粘接性的保持带,由晶片切断装置等从表面侧切断晶片。此时,粘接在背面的保持带虽然被切入若干,但没有被切断,成为保持各半导体芯片的状态。接着,被切断的各半导体芯片一片一片地从保持带拾取,送向芯片焊接等此后工序。
以往,作为从具有粘接性的保持带拾取半导体芯片的方法,大多使用上顶针的方法(例如,参照专利文献1的图15)。这是一种拾取半导体芯片的方法:在用吸附筒夹(collet)吸引半导体芯片的状态下,从向着周围施加拉引力的保持片材下侧,由上顶针顶起半导体芯片中央,因施加在保持片材的拉引力,将具有粘接性的保持片材从半导体芯片剥离,用吸附筒夹拾取半导体芯片。
但是,该通过上顶针的方法存在若半导体芯片厚度薄则半导体芯片因上顶发生破裂的问题,用于近年的薄型半导体芯片的拾取很困难。
于是,提出不使用上顶针、将半导体芯片从具有粘接性的保持片材分离的拾取方法。例如,在专利文献1中提出以下方法:在台表面设置宽度比欲拾取的半导体芯片狭的突出部,在突出部周边的台表面设有吸引孔,当拾取半导体芯片时,将欲拾取的半导体芯片载置在突出部上,使得其从突出部伸出,由吸附筒夹吸附保持,在吸引孔将保持片材朝下方真空吸引,将从突出部分伸出部分的保持片材从半导体芯片剥离,此后,在用吸附筒夹吸附半导体芯片状态下,使得突出部相对台表面水平移动,将半导体芯片的残留部分的保持片材剥离(参照专利文献1的图9至图10)。
又,在专利文献2中提出以下方法:在台的密接面设有吸引开口,当拾取半导体芯片时,使得开闭吸引开口的盖的前端从密接面进入,一边往上推压保持片材和半导体芯片一边使得盖滑动,顺序打开吸引开口,将保持片材顺序吸引到打开的吸引开口,顺序剥离保持片材,将半导体芯片顺序吸附到在半导体芯片的上部待机的吸附筒夹,拾取半导体芯片(参照专利文献2的图11,图13)。
[专利文献1]日本专利第3209736号说明书
[专利文献2]日本专利第4215818号说明书
另一方面,近年,半导体芯片越来越薄,在专利文献1、2记载的以往技术中,发生不能充分剥离保持片材的场合。在专利文献1记载的以往技术中,当半导体芯片更薄、强度更低场合,当从突出部分伸出部分的保持片材朝下方向被吸引时,该部分的保持片材没有从半导体芯片剥离,相反,与保持片材一起朝着下方向弯曲,即使突出部滑动,有时保持片材也不能顺利剥离,或半导体芯片受到损伤。又,在专利文献2记载的以往技术中,当盖从密接面进入时,沿着设在盖两侧的角部的倒角部分,保持片材朝着下方向被吸引,由此,半导体芯片侧端部分的保持片材从半导体芯片剥离(参照专利文献2的图8)。由此,创造在半导体芯片的侧端部分剥离保持片材的机会,因使得该部分和盖的前端从吸附面进入形成的半导体芯片前端侧的保持片材的剥离机会,使得保持片材从半导体芯片全面剥离。但是,当半导体芯片更薄、强度更低场合,当盖从密接面进入,沿着盖的倒角部分,保持片材朝下方向被吸引时,半导体芯片侧端部分的保持片材没有从半导体芯片剥离,相反,与保持片材一起朝着下方向弯曲,即使盖滑动,有时保持片材也不能顺利剥离,或半导体芯片受到损伤。
发明内容
于是,本发明的目的在于,在半导体芯片的拾取装置中,容易拾取更薄的半导体芯片。
为了达到上述目的,本发明提出一种半导体芯片拾取装置,拾取粘接在保持片材的半导体芯片,其特征在于:
该半导体芯片拾取装置包括:
台,包含密接面,该密接面与上述保持片材的粘接上述半导体芯片的面相反侧的面密接;
吸引开口,设在上述密接面;
盖,设在上述台上,使得关闭上述吸引开口侧的前端从密接面进入自如,沿着上述密接面滑动,开闭上述吸引开口;
突起,配置在上述吸引开口的周缘,从上述密接面突出;
吸引孔,设在上述突起的台外周侧的上述密接面;以及
吸附筒夹,吸附半导体芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造