[发明专利]半导体衬底用碱性处理液的精制方法及精制装置

权利要求书

1.半导体衬底用碱性处理液的精制方法，其是为了处理半导体衬底而使用的碱性处理液的精制方法，其特征在于，使所述碱性处理液与吸附精制装置的碳化硅晶体表面相接触，使该碱性处理液中所含的金属杂质吸附于所述碳化硅晶体表面而被除去。

2.权利要求1所述的半导体衬底用碱性处理液的精制方法，其中，碳化硅晶体表面为碳化硅单晶的晶体表面、或通过化学气相沉积（CVD）法形成的碳化硅多晶的晶体表面。

3.权利要求1或2所述的半导体衬底用碱性处理液的精制方法，其中，碱性处理液为氨水溶液或有机强碱水溶液。

4.权利要求3所述的半导体衬底用碱性处理液的精制方法，其中，有机强碱水溶液的有机强碱为四烷基氢氧化铵或羟烷基三甲基氢氧化铵。

5.权利要求4所述的半导体衬底用碱性处理液的精制方法，其中，四烷基氢氧化铵为四甲基氢氧化铵（TMAH），并且，羟烷基三甲基氢氧化铵为羟乙基三甲基氢氧化铵（胆碱）。

6.权利要求3～5任一项所述的半导体衬底用碱性处理液的精制方法，其中，碱性处理液为包含过氧化氢的含过氧化氢碱性洗涤液。

7.权利要求1～6任一项所述的半导体衬底用碱性处理液的精制方法，其中，在使碱性处理液与吸附精制装置的碳化硅晶体表面相接触，使该碱性处理液中所含的金属杂质吸附于碳化硅晶体表面而被除去之前，用含氧化剂的稀氢氟酸洗涤液或氧化性酸稀释液洗涤所述碳化硅晶体表面以进行清洁。

8.权利要求1～7任一项所述的半导体衬底用碱性处理液的精制方法，其中，在吸附精制装置中配置如下处理液循环装置：即，在处理半导体衬底的衬底处理装置中回收用于处理半导体衬底的使用后的碱性处理液，将该回收的使用后的碱性处理液供给到吸附精制装置中，并将用该吸附精制装置对使用后的碱性处理液进行精制、再生而得到的再生碱性处理液再次供给到衬底处理装置中。

9.权利要求8所述的半导体衬底用碱性处理液的精制方法，其中，碱性处理液以10～300ppb的范围含有乙二胺四亚甲基膦酸（EDTPO）螯合剂或将其亚乙基置换成亚丙基的1,2-丙二胺四亚甲基膦酸（Methyl-EDTPO）螯合剂的任一种。

10.权利要求1～9任一项所述的半导体衬底用碱性处理液的精制方法，其中，半导体衬底为硅器件用衬底。

11.权利要求1～10任一项所述的半导体衬底用碱性处理液的精制方法，其中，具有碳化硅晶体表面的吸附精制装置是将表面具有碳化硅晶体表面的多个薄片状的吸附板以使这些碳化硅晶体表面彼此之间面对面并保持规定间隔的方式层叠而成的吸附板层叠体，在该吸附板层叠体的吸附板间的间隙内保持或流过碱性处理液，从而使该碱性处理液与碳化硅晶体表面相接触。

12.权利要求1～10任一项所述的半导体衬底用碱性处理液的精制方法，其中，具有碳化硅晶体表面的吸附精制装置是以形成规定间隔的方式填充表面具有碳化硅晶体表面的粒状吸附剂的吸附剂填充塔，在该吸附剂填充塔内流过碱性处理液，从而使该碱性处理液与碳化硅晶体表面相接触。

13.半导体衬底用碱性处理液的精制装置，其在精制为了处理半导体衬底而使用的碱性处理液，除去该碱性处理液中的金属杂质时使用，其特征在于，

具备吸附精制装置，该吸附精制装置具有与所述碱性处理液体接触的碳化硅晶体表面，使该碱性处理液中所含的金属杂质吸附于所述碳化硅晶体表面而被除去。

14.权利要求13所述的半导体衬底用碱性处理液的精制装置，其中，具有碳化硅晶体表面的吸附精制装置是将表面具有碳化硅晶体表面的多个薄片状的吸附板以使这些碳化硅晶体表面彼此之间面对面并保持规定间隔的方式层叠而成的吸附板层叠体。

15.权利要求13所述的半导体衬底用碱性处理液的精制装置，其中，具有碳化硅晶体表面的吸附精制装置是以形成规定间隔的方式填充表面具有碳化硅晶体表面的粒状吸附剂的吸附剂填充塔。

16.权利要求11～13任一项所述的半导体衬底用碱性处理液的精制装置，其中，具有碳化硅晶体表面的吸附精制装置的碳化硅晶体表面的总面积（S）与存在于该碳化硅晶体表面之间的碱性处理液的总体积（V）之比（S/V）为10～130。