[发明专利]阻焊图案的形成方法有效
| 申请号： | 201180046480.X | 申请日： | 2011-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN103109588A | 公开（公告）日： | 2013-05-15 |
| 发明（设计）人： | 丰田裕二;后闲宽彦;入泽宗利;金田安生;中川邦弘 | 申请（专利权）人： | 三菱制纸株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/28 | 分类号： | H05K3/28;H05K3/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 庞立志;孟慧岚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 | ||
1. 阻焊图案的形成方法，其特征在于，依次含有：
（A1）在具有连接焊盘的电路基板的表面形成阻焊层的步骤，
（B1）利用碱水溶液进行薄膜化，直至阻焊层的厚度为连接焊盘的厚度以下的步骤。
2. 阻焊图案的形成方法，其特征在于，含有：
（A2）在具有连接焊盘和导体布线的电路基板的表面形成阻焊层的步骤，
（C）将进行薄膜化直至阻焊层的厚度为连接焊盘的厚度以下的区域之外的部分曝光的步骤，
（B2）利用碱水溶液对阻焊层进行薄膜化，直至非曝光部的阻焊层的厚度为连接焊盘的厚度以下的步骤。
3. 权利要求2所述的阻焊图案的形成方法，其中，在（A2）步骤与（C）步骤之间，含有（D）利用碱水溶液对阻焊层整面进行薄膜化的步骤。
4. 阻焊图案的形成方法，其特征在于，依次含有：
（A3）在具有连接焊盘和高度比连接焊盘低的导体布线的电路基板的表面形成阻焊层的步骤，
（B3）利用碱水溶液进行薄膜化，直至阻焊层的厚度为连接焊盘的厚度以下、且较导体布线的厚度厚的步骤。
5. 权利要求1～4中任一项所述的阻焊图案的形成方法，其中，碱水溶液为含有无机碱性化合物的水溶液，该无机碱性化合物的含量为3～25质量%。
6. 权利要求5所述的阻焊图案的形成方法，其中，无机碱性化合物为选自碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属硅酸盐中的至少任意1种。
7. 权利要求5所述的阻焊图案的形成方法，其中，无机碱性化合物为碱金属硅酸盐。
8. 权利要求7所述的阻焊图案的形成方法，其中，碱金属硅酸盐为偏硅酸钠。
9. 权利要求5所述的抗蚀图案的形成方法，其中，无机碱性化合物为碱金属磷酸盐。
10. 权利要求9所述的抗蚀图案的形成方法，其中，碱金属磷酸盐为选自磷酸三钠、磷酸三钾中的至少1种。
11. 权利要求5所述的抗蚀图案的形成方法，其中，无机碱性化合物为碳酸钾。
12. 权利要求1～4中任一项所述的阻焊图案的形成方法，其中，碱水溶液为含有有机碱性化合物的水溶液。
13. 权利要求12所述的阻焊图案的形成方法，其中，有机碱性化合物的含量为5～25质量%。
14. 权利要求1～13中任一项所述的阻焊图案的形成方法，其中，碱水溶液的pH为12.5以上。
15. 权利要求1～14中任一项所述的阻焊图案的形成方法，其中，在利用碱水溶液对阻焊层进行薄膜化的步骤之后，含有（E）用含有碱性化合物且该碱性化合物的含量较碱水溶液少、pH为5.0～10.0、温度为22～50℃的水溶液进行处理的步骤。
16. 权利要求1～15中任一项所述的阻焊图案的形成方法，其中，利用碱水溶液对阻焊层进行薄膜化的步骤是利用浸渍处理进行的。
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