[发明专利]阻焊图案的形成方法

说明书

技术领域

涉及阻焊图案的形成方法。

背景技术

为了使焊料不附着于不需要焊接的布线图案，各种电气仪器内部的电路基板的阻焊图案被覆形成于进行焊接的部分之外的部分整面，另外，还发挥防止导体的氧化、导体的电绝缘和保护导体不受外部环境损害的功能。

电路基板上搭载了半导体芯片等电子部件的半导体组件中，利用倒装芯片(フリップチップ、Flip Chip)连接的搭载在实现高速化、高密度化方面是有效的方法。倒装芯片连接中，将电路基板的导体布线的一部分作为倒装芯片连接用的连接焊盘，例如，将配设于该连接焊盘上的焊料凸点与半导体芯片的电极端子接合。

图1～图5是将电路基板上进行焊接的部分（例如，连接焊盘）之外用阻焊层被覆的阻焊图案的截面结构简图。图1是阻焊层限定（Solder　Mask　Defined，SMD）结构的截面结构简图，其特征在于，阻焊层3的开口部比连接焊盘6小。图2～图5是非阻焊层限定（Non　Solder　Mask　Defined，NSMD）结构的截面结构简图，其特征在于，阻焊层3的开口部为连接焊盘6以上。

作为形成阻焊图案的方法，通常已知的是光刻法方式。光刻法方式中，在绝缘性基板1上具有连接焊盘6和导体布线2的电路基板上形成阻焊层3后，进行曝光、显影，由此将连接焊盘6周边的阻焊层3完全除去而设置开口部。该光刻法方式中，迄今为止只能制作图1、图2和图3的结构。

如图2所示，连接焊盘6间完全不存在阻焊层时，若连接焊盘间发生窄间距化，则在焊接之前进行的非电解镀镍/金之际，在连接焊盘间发生镀覆的短路。即使是连接焊盘6间存在阻焊层3时，也如图1和图3所示，在阻焊层3厚的情形中，它们会成为障碍而发生不能正确搭载电子部件的不良情况。另外，随着近年来电子仪器的小型化、多功能化，连接焊盘间小于50μm时，则从曝光位置偏移的观点出发，用光刻法方式制作图1和图3的结构非常困难。基于这样的原因，需求如图4和图5所示，连接焊盘6间的阻焊层3的厚度为连接焊盘6的厚度以下的结构。

图4的结构是下述结构，其中，通过湿式喷砂法形成有具有狭缝状开口的阻焊图案，大量并设的连接焊盘6露出的同时，在狭缝状的开口内露出的相互相邻的连接焊盘6间填充有与连接焊盘6高度相同的阻焊层3。该结构如下形成：在绝缘性基板1上具有连接焊盘6和导体布线2的电路基板上涂布阻焊层3后，在实施了紫外线固化、加热固化的阻焊层3上，设置用于形成湿式喷砂用掩模的树脂层，然后进行曝光、显影，由此形成图案状的湿式喷砂用掩模，接着进行湿式喷砂，由此在阻焊层形成狭缝状的开口，除去湿式喷砂用掩模（例如，参照专利文献1）。

另外，还公开有下述结构，其中，相对于具有连接焊盘与高度比连接焊盘低的导体布线的电路基板，连接焊盘露出，导体布线被阻焊层所被覆，连接焊盘间填充有与连接焊盘高度相同的阻焊层（例如，参照专利文献2）。该结构如下形成：在具有连接焊盘与高度比连接焊盘低的导体布线的电路基板上涂布阻焊层后，进行研磨直至连接焊盘的上面露出。作为研磨方法，可以采用机械研磨方法或激光划片法。

图5的结构中，连接焊盘6间存在阻焊层3，但连接焊盘6的外周面露出。图5的结构如下形成：将连接焊盘6整体进行非电解镀镍而用镍层被覆，在导体布线上涂布阻焊层3后，实施紫外线固化、加热固化，对阻焊层3进行喷砂研磨，由此使镍层的上面露出，之后通过蚀刻除去镍层（例如，参照专利文献3）。

专利文献1～3的方法中，为了形成阻焊层的开口部，使用湿式喷砂、机械研磨等研磨方法，但该方法中，难以使面内的研磨量均一，进而在连接焊盘上残留阻焊层的残渣，使其上面完全露出的高精度加工极其困难。另外，虽然容易使阻焊层和连接焊盘的高度相同，但要使阻焊层的高度比连接焊盘低时，研磨处理中有时发生损害包括连接焊盘的其它部分，或产生缺损的问题。

作为除去阻焊层的方法，也存在通过激光照射来使不需要的阻焊剂分解的方法，但是存在步骤繁杂、生产率差等问题（例如，参照专利文献2和4）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008-300691号公报

专利文献2：日本特开2006-344664号公报

专利文献3：日本特开2009-253118号公报

专利文献4：日本特开2010-034414号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题