[发明专利]具有改进击穿电压的场效应晶体管和形成这种场效应晶体管的方法

权利要求书

1.一种形成晶体管的方法，所述方法包括：

通过用第一掺杂物类型掺杂半导体形成第一类型半导体来形成漏极和源极，所述漏极和所述源极彼此隔开，

其中，所述漏极包括具有第一掺杂物浓度且与第二漏极区相邻的第一漏极区，使得所述第二漏极区的至少一部分位于所述第一漏极区和所述源极之间；以及

通过掺杂半导体形成位于所述漏极和所述源极中间的第二类型半导体来形成中间区，所述中间区与所述第二漏极区隔开。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法还包括在至少所述漏极区下方提供与至少所述漏极区隔开的所述第二类型半导体层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法还包括围绕所述晶体管的外围提供所述第二类型半导体的另一个区域。

4.根据权利要求1所述的方法，其中栅极区被放置于所述漏极和所述源极之间，其中所述方法还包括提供与所述栅极区相邻或重叠的屏障。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二漏极区的掺杂浓度低于所述第一漏极区的掺杂浓度。

6.根据权利要求5所述的方法，其中在所述第二漏极区内将所述第一漏极区形成为掺杂浓度增大的区域。

7.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一漏极区下方以及在所述第二漏极区内提供掺杂浓度大于所述第二漏极区的掺杂浓度的第三漏极区。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一和所述第二漏极区下方提供第四漏极区。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第四漏极区与所述第二漏极区重叠且窄于所述第二漏极区，使得所述第二漏极区悬于所述第四漏极区之上。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一和所述第二漏极区下方提供N-型区域。

11.根据权利要求1所述的方法，其中在所述源极下方提供N-型区域。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶体管具有第一击穿电压，但是所述晶体管是使用通常提供具有第二击穿电压的晶体管的工艺制造的，所述第二击穿电压小于所述第一击穿电压。

13.根据权利要求1所述的方法，其还包括调整所述中间区的尺寸和所述中间区与所述第二漏极区之间的间隔的至少一个，使得在所述制造的晶体管中，可将沟道长度调制效应引入所述装置的漏极-源极电流对漏极-源极电压传输特征中以补偿所述装置内的热效应。

14.根据权利要求1所述的形成晶体管方法，其中所述半导体阱形成所述晶体管的主体区域，且所述第一漏极区、所述第二漏极区、所述源极和所述中间区中的掺杂物密度大于所述主体区域中的掺杂物密度。

15.一种场效应晶体管，其包括由第一类型半导体形成的漏极区和源极区，其中所述漏极区包括具有第一掺杂物浓度且与第二漏极区相邻的第一漏极区，使得所述第二漏极区的至少一部分位于所述第一漏极区和所述源极区之间，且还包括位于所述漏极和所述源极区中间并与所述第二漏极区隔开的第二类型半导体中间区。

16.根据权利要求15所述的晶体管，其中所述第二漏极区的掺杂浓度低于所述第一漏极区的掺杂浓度。

17.根据权利要求16所述的晶体管，其中提供了第三漏极区，所述第三漏极区与所述第一漏极区接触，延伸入所述第二漏极区，且其掺杂浓度大于所述第二漏极区的掺杂浓度并小于所述第一区域的掺杂浓度。

18.根据权利要求15所述的晶体管，其中在所述源极和所述第二漏极区中的至少一个下面提供所述第一类型半导体的附加区域并使所述第一类型半导体的附加区域与所述源极和所述第二漏极区中的至少一个重叠。

19.根据权利要求15所述的晶体管，其还包括形成为与所述漏极区和所述源极区相邻但并不接触的相对重掺杂区。

20.根据权利要求19所述的晶体管，其中电介质将所述晶体管与周围的衬底隔离，且所述相对重掺杂区被设置为接近所述电介质的至少一部分。

21.根据权利要求15所述的晶体管，所述晶体管在集成电路内。