[发明专利]具有多个彼此间有间隔的发射区域的发光设备有效
申请号: | 201180048215.5 | 申请日: | 2011-09-30 |
公开(公告)号: | CN103155151B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | N.赫夫纳;M.布兰德尔 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H05B33/08;B60Q1/14 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;卢江 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 彼此 间隔 发射 区域 发光 设备 | ||
1.发光设备(100),包括
-至少一个发射辐射的半导体芯片(10),该半导体芯片具有至少两个在横向方向(101)上彼此间有间隔地布置的发射区域(11),其中所述发射区域用外延生长的半导体层序列来形成且每个发射区域(11)都包括至少一个适于发射电磁辐射的有源区(2),
其中发射辐射的半导体芯片(10)包括至少一个载体(3),其中至少两个所述发射区域(11)共同地外延生长并且在横向方向上彼此有间隔地固定在所述至少一个载体(3)上,而且所述发射区域(11)的有源区被相互分开,
其中所述发射区域(11)具有竖直方向上的相同扩展、相同的半导体层序列、各个半导体层的竖直方向上的相同扩展及相同的材料组成;
其中设有用于运行发射区域(11)的操控设备(12),其中
-发射区域(11)能够彼此分开地电运行,
-所述操控设备(12)被设立为依据以下条件中的至少一个与剩余的发射区域分开地操控每个发射区域(11):发射区域(11)的运行持续时间、由发射区域(11)发射的电磁辐射的可预先给定的最小强度、半导体芯片(10)的最大工作温度的达到、由半导体芯片(10)要发射的电磁辐射的强度、沿着发射辐射的半导体芯片的发光面的光强分布、沿着由发光设备(100)要照明的对象的光强分布。
2.根据权利要求1的发光设备(100),其中在低于发光设备(100)的环境亮度情况下操控设备(12)接上至少一个发射区域(11)或者在超过发光设备(100)的环境亮度情况下断开至少一个发射区域。
3.根据权利要求1的发光设备(100),其中操控设备(12)被设立为,在达到至少一个针对由操控设备(12)运行的发射区域(11)的所述条件之后调暗或者去活该发射区域(11)。
4.根据权利要求1的发光设备(100),其中处于运行中的发射区域(11)的数量在发光设备(100)运行期间是恒定的。
5.根据权利要求1的发光设备(100),其中由半导体芯片(10)发射的强度在发光设备(100)运行期间通过操控设备保持恒定。
6.根据权利要求1的发光设备(100),其中至少一个发射区域(11)由其余发射区域(11)至少部分地包围,其中在发光设备(100)的第一运行模式(B1)中只有被包围的发射区域(11)由操控设备(12)运行,并且在第二运行模式(B2)中至少一个所述其余发射区域(11)被运行。
7.根据权利要求6的发光设备(100),其中在第二运行模式(B2)中只有其余发射区域(11)由操控设备(12)运行。
8.根据权利要求6的发光设备(100),其中在第二运行模式(B2)中所有发射区域(11)由操控设备(12)运行。
9.根据权利要求6的发光设备(100),其中由半导体芯片(10)发射的电磁辐射的强度在第二运行模式(B2)中是在第一运行模式(B1)中的至少5倍和最高15倍那么高。
10.根据权利要求7的发光设备(100),其中由半导体芯片(10)发射的电磁辐射的强度在第二运行模式(B2)中是在第一运行模式(B1)中的至少5倍和最高15倍那么高。
11.根据权利要求8的发光设备(100),其中由半导体芯片(10)发射的电磁辐射的强度在第二运行模式(B2)中是在第一运行模式(B1)中的至少5倍和最高15倍那么高。
12.根据权利要求5至8之一的发光设备(100),其中由半导体芯片(10)发射的电磁辐射的强度在第一运行模式(B1)中是在第二运行模式(B2)中的至少5倍和最高15倍那么高。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的