[发明专利]具有多个彼此间有间隔的发射区域的发光设备有效
申请号: | 201180048215.5 | 申请日: | 2011-09-30 |
公开(公告)号: | CN103155151B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | N.赫夫纳;M.布兰德尔 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H05B33/08;B60Q1/14 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;卢江 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 彼此 间隔 发射 区域 发光 设备 | ||
说明了一种发光设备(100),包括‑至少一个发射辐射的半导体芯片(10),该半导体芯片具有至少两个在横向方向(101)上彼此间有间隔地布置的发射区域(11),其中每个发射区域(11)都包括至少一个适于发射电磁辐射的有源区(2);‑用于运行发射区域(11)的操控设备(12),其中‑发射区域(11)能够彼此分开地电运行,以及‑所述操控设备(12)被设立为依据以下条件中的至少一个与剩余的发射区域分开地操控每个发射区域(11):发射区域(11)的运行持续时间、由发射区域(11)发射的电磁辐射的可预先给定的最小强度、半导体芯片(10)的最大工作温度的达到、由半导体芯片(10)要发射的电磁辐射的强度、沿着发射辐射的半导体芯片的发光面的光强分布、沿着由发光设备(100)要照明的对象的光强分布。
技术领域
说明一种发光设备,以及一种具有这样的发光设备的信号发光体。
背景技术
待解决的任务在于,说明一种在结构方面紧凑的并且可以简单制造的发光设备。
发明内容
根据该发光设备的至少一个实施方式,该发光设备包括至少一个发射辐射的半导体芯片,该半导体芯片具有至少两个在横向方向上彼此间有间隔地布置的发射区域。每个发射区域都包括至少一个适于发射电磁辐射的有源区。“有间隔地布置”在该上下文中意指,发射区域不彼此渡越和/或相互重叠。例如,发射区域通过在诸如衬底的载体上外延生长的半导体层序列来形成。在此,横向方向可以是平行于外延生长的半导体层序列的方向。半导体层序列可以被划分为各个彼此有间隔地布置并且例如彼此电绝缘的发射区域。例如,在横向方向上在分别相邻的发射区域之间构造至少一个中间区域。该中间区域可以在半导体芯片的俯视图中通过发射区域的侧面以及朝向发射区域的载体表面来限制。换句话说,发射区域的有源区在横向方向上不直接彼此邻接,而是通过中间区域相互分开。
在有源区的外部接触下,该有源区发射在电磁辐射的紫外至红外光谱范围内的波范围中的电磁辐射。优选地,发射辐射的半导体芯片的有源区发射在电磁辐射光谱的可见或紫外范围中的光。例如,发射辐射的半导体芯片被施加到接触载体上以用于电接触。接触载体例如是金属板(也就是引线框)、印刷电路板或陶瓷载体。
根据至少一个实施方式,发光设备包括用于运行发射区域的操控设备。“运行”在该上下文中意指,操控设备例如借助施加电流能够可预先给定地使发射区域通电和/或可预先给定地给发射区域配备工作电压,使得这些发射区域发射电磁辐射。
根据至少一个实施方式,发射区域可以彼此分开地电运行。这可以意指,可以彼此独立地向各个发射区域注入可预先给定强度的电流。同样“可以彼此分开地电运行”可以意指,至少两个彼此有间隔地布置的发射区域在它们的工作电压、工作温度和/或运行持续时间方面是可预先给定地可调整和/或可控制的。
根据至少一个实施方式,所述操控设备被设立为依据以下条件中的至少一个:发射区域的运行持续时间、由发射区域发射的电磁辐射的可预先给定的最小强度、半导体芯片的最大运行持续时间的达到、由半导体芯片要发射的电磁辐射的强度、沿着发射辐射的半导体芯片的发光面的光强分布、沿着由发光设备要照明的对象的光强分布,与剩余的发射区域分开地操控每个发射区域。这尤其是可以意指,操控设备被设立为依据所述的条件与剩余的发射区域分开地电运行发射区域。“发光面”例如是发射区域中的至少一个的背离载体的外面,其中至少部分地在半导体芯片内产生的电磁辐射经由所述外面离开半导体芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的