[发明专利]太阳能电池元件及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池元件，具备：

半导体基板；

反射防止膜，配置于该半导体基板的一主面上的第1区域；以及

表面电极，配置于上述半导体基板的一主面上的第2区域，以银作为主要成分，并包含以碲、钨以及铋为必需成分的碲系玻璃。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池元件，上述碲系玻璃通过氧化物换算包含30～80摩尔%的碲、10～50摩尔%的钨、5～25摩尔%的铋。

3.根据权利要求1或者2所述的太阳能电池元件，上述半导体基板的一主面具有配备了平均宽度以及平均高度分别小于等于2μm的突起的纹理结构。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池元件，上述突起的平均宽度以及平均高度分别大于等于0.1μm小于等于1μm。

5.一种太阳能电池元件的制造方法，该太阳能电池元件具备半导体基板、配置于该半导体基板的一主面上的第1区域的反射防止膜、以及配置于上述半导体基板的一主面上的第2区域的表面电极，该制造方法具有：

第1步骤，在上述半导体基板的一主面上形成上述反射防止膜；

第2步骤，将导电膏印刷在上述反射防止膜上，该导电膏包含以银为主要成分的导电性粉末、以碲、钨以及铋为必需成分的碲系玻璃粉、和有机展色剂；

第3步骤，通过烧制上述导电膏除去位于上述导电膏之下的上述反射防止膜，将上述反射防止膜配置于上述半导体基板的上述第1区域，在上述半导体基板的上述第2区域形成上述表面电极。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池元件的制造方法，作为在上述第2步骤中的上述碲系玻璃粉，使用通过氧化物换算包含30～80摩尔%的碲、10～50摩尔%的钨、5～25摩尔％的铋的粉末。

7.根据权利要求5或者6所述的太阳能电池的制造方法，在上述第1步骤之前，进一步具有在上述半导体基板的一主面侧形成具备平均宽度以及平均高度分别小于等于2μm的突起的纹理结构的第4步骤。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池元件的制造方法，在上述第4步骤中，将上述突起的平均宽度以及平均高度分别形成为大于等于0.1μm小于等于1μm。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池元件的制造方法，在上述第4步骤中，通过RIE法形成上述纹理结构。