[发明专利]太阳能电池元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201180048386.8 申请日: 2011-10-04
公开(公告)号: CN103155159A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 中村正美;新藤直人;金作整;迹部淳一 申请(专利权)人: 昭荣化学工业株式会社;京瓷株式会社
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01B1/22;H01L21/28;H01L21/288
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 孙蕾
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 元件 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及太阳能电池元件及其制造方法。

背景技术

一般的太阳能电池元件具备:硅系的例如p型的半导体基板、n型的扩散层、反射防止膜、背面电极以及表面电极。而且,在形成表面电极时,使用混合了以银作为主要成分的导电性粒子、玻璃粉、有机展色剂以及溶剂等的导电膏。在将该导电膏通过丝网印刷或者孔版印刷等形成电极图案后,对其烧制而形成表面电极。

在该烧制时,通常通过包含在导电膏中的玻璃粉的作用来溶解·除去反射防止膜。由此,实现表面电极和扩散层的电接触。一般把该步骤称为烧结贯通(fire-through)。

为了良好地进行烧结贯通,作为导电膏中的玻璃粉,优选使用与反射防止膜的溶解性良好的玻璃。以往作为玻璃,从易于调整其软化点,与半导体基板的粘结性也优异,并且能够比较良好地进行烧结贯通这一理由出发,多使用包含氧化铅的玻璃(例如,参照专利文献1)。

但是,在以往的包含氧化铅的玻璃中,经常看到烧结贯通不充分,得不到欧姆接触,或者,烧结贯通进行过度,表面电极的一部分深深侵蚀到基板的情况等,烧结贯通难以控制。

另外,虽然还研究了不含氧化铅的玻璃,但这种情况下也是烧结贯通不充分,得不到欧姆接触,烧结贯通难以控制。

专利文献1:日本特开2001-93326号公报

发明内容

因而,本发明的目的在于提供一种能够实现表面电极对半导体基板的良好的欧姆接触,并能够最佳地控制烧结贯通的太阳能电池元件及其制造方法。

为了实现上述目的,本发明的一个方式涉及的太阳能电池元件具备:

半导体基板;

反射防止膜,配置于该半导体基板的一主面上的第1区域;

表面电极,配置于上述半导体基板的一主面上的第2区域,以银作为主成分,并包含将碲、钨以及铋作为必需成分的碲系玻璃。

另外,本发明的一个方式涉及的太阳能电池元件的制造方法是具备半导体基板、配置于该半导体基板的一主面上的第1区域的反射防止膜、配置于上述半导体基板的一主面上的第2区域的表面电极的太阳能电池元件的制造方法,该制造方法具有:

第1步骤,在上述半导体基板的一主面上形成上述反射防止膜;

第2步骤,将导电膏印刷在上述反射防止膜上,该导电膏包含以银为主要成分的导电性粉末、以碲、钨以及铋为必需成分的碲系玻璃粉、和有机展色剂;

第3步骤,通过烧制上述导电膏除去位于上述导电膏之下的上述反射防止膜,使上述反射防止膜配置于上述半导体基板的上述第1区域,在上述半导体基板的上述第2区域形成上述表面电极。

根据上述太阳能电池元件及其制造方法,能够确保采用导电膏的烧制的最佳的烧结贯通(烧制贯通)性,能够实现表面电极对半导体基板的优异的欧姆接触。

附图说明

图1是模式化地表示本发明的一个方式涉及的太阳能电池元件的一个实施方式的剖面图。

图2(a)~(e)的各图是模式化地表示本发明的一个方式涉及的太阳能电池元件的制造步骤的剖面图。

图3(a)是未出现玻璃成分从电极形状的外缘渗出的“渗出现象”的状态的照片图,图3(b-1)是有“渗出现象”的状态的照片图,图3(b-2)是在图3(b-1)中加上表示“渗出”的虚线的照片图。

符号说明

1:半导体基板(硅基板)

1a:逆导电型层

1b:BSF区域

1c:微细的突起

2:反射防止膜

3:第1电极(表面电极)

4:第2电极(背面电极)

10:太阳能电池元件

20:渗出

具体实施方式

以下参照附图说明本发明涉及的太阳能电池元件及其制造方法的实施方式的一个例子。

(太阳能电池元件)

首先,说明本实施方式的太阳能电池元件的基本结构。

如图1所示,本实施方式的太阳能电池元件10具备:半导体基板1,具有一种导电型的第1半导体区域、和相对于该第1半导体区域是逆导电型的第2半导体区域(逆导电型层1a);反射防止膜2,在半导体基板1上配置于作为光入射侧的主面的第1面上(在本实施方式中是逆导电型层1a之上)的第1区域1e。

进而,太阳能电池元件10具有:设置于半导体基板1的第1面上的第2区域1f的作为表面电极的第1电极3;设置于作为与半导体基板1的第1面相反侧的主面的第2面的、作为背面电极的第2电极4。

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