[发明专利]用于接触部的浆料及利用所述浆料的太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201180048960.X 申请日: 2011-08-09
公开(公告)号: CN103153864A 公开(公告)日: 2013-06-12
发明(设计)人: 金相坤;李仁宰;金顺吉;朴镇庆 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: C01G3/00 分类号: C01G3/00;C01G5/00;H01B1/02;H01L31/042
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人: 许向彤;陈英俊
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 用于 接触 浆料 利用 太阳能电池
【权利要求书】:

1.一种用于接触部的浆料,包括:Al粉末、玻璃熔块、无机黏合剂和含有I族元素的P型氧化物。

2.根据权利要求1所述的浆料,其中,所述P型氧化物额外包括碱土金属、过渡元素、III族元素或V族元素。

3.根据权利要求1所述的浆料,其中,所述P型氧化物由以下化学式1表示:

[化学式1]AXBYOZ

(其中,0.5<X≤1.5,0.5<Y≤2.5,1.5<Z≤4.5,A选自Cu和Ag之一,并且B选自由B、Al、Ga、In、Ti、Mn、Y、La、Fe、Cr、Sb、Sc、Nd和Bi构成的组中的一个)。

4.根据权利要求1所述的浆料,其中,所述P型氧化物由以下化学式2表示:

[化学式2]Sr1-xMxCuYOZ

(其中,0.03<X≤0.2,1.5<Y≤2.5,1.5<Z≤2.5,并且M选自由K、Na和Ca构成的组中的一个)。

5.根据权利要求1所述的浆料,其中,所述P型氧化物的含量占所述浆料的总量的约0.1重量份到约5重量份的范围内。

6.根据权利要求1所述的浆料,其中,所述用于接触部的浆料包括用于太阳能电池后接触部的浆料。

7.一种太阳能电池,包括:

位于半导体衬底的一个表面上的前接触部;

位于所述半导体衬底的另一表面上的背面场(BSF)层;以及

位于所述BSF层上的后接触部,

其中,所述BSF层或所述后接触部包括含有I族元素的P型氧化物。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其中,所述P型氧化物由以下化学式1表示:

[化学式1]AXBYOZ

(其中,0.5<X≤1.5,0.5<Y≤2.5,1.5<Z≤4.5,A选自Cu和Ag之一,并且B选自由B、Al、Ga、In、Ti、Mn、Y、La、Fe、Cr、Sb、Sc、Nd和Bi构成的组中的一个)。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池,其中,所述P型氧化物由以下化学式2表示:

[化学式2]Sr1-xMxCuYOZ

(其中,0.03<X≤0.2,1.5<Y≤2.5,1.5<Z≤2.5,并且M选自由K、Na和Ca构成的组中的一个)。

10.根据权利要求7所述的太阳能电池,其中,所述BSF层和所述后接触部中的每个都包括所述P型氧化物。

11.根据权利要求7所述的太阳能电池,其中,所述BSF层具有约4μm至约10μm的厚度。

12.根据权利要求7所述的太阳能电池,进一步包括在所述半导体衬底上的防反射层。

13.一种太阳能电池的制造方法,所述方法包括:

在半导体衬底的另一表面上形成用于接触部的浆料,所述浆料包括含有I族元素的P型氧化物;

在所述半导体衬底的一个表面上形成前接触部;以及

对所述浆料和所述前接触部进行热处理,以在所述半导体衬底的所述另一表面上同时形成后接触部和BSF层。

14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述P型氧化物由以下化学式1表示:

[化学式1]AXBYOZ

(其中,0.5<X≤1.5,0.5<Y≤2.5,1.5<Z≤4.5,A选自Cu和Ag之一,并且B选自由B、Al、Ga、In、Ti、Mn、Y、La、Fe、Cr、Sb、Sc、Nd和Bi构成的组中的一个)。

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