[发明专利]用于接触部的浆料及利用所述浆料的太阳能电池

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于形成太阳能电池的接触材料及该接触材料的制造方法。

背景技术

随着对能源的需求增加，正在积极研制将太阳能转换为电能的太阳能电池。在这些太阳能电池中，在商业上广泛地使用利用硅晶片的太阳能电池。

具体地，硅晶片包括PN结，其中，N⁺层和P层附接到彼此并且背面场（BSF）层是P⁺层。这里，BSF层可以减小与后接触部的接触电阻以提高太阳能电池的特性。因此，当BSF层厚度增加时，可以提高太阳能电池的性能。

发明内容

技术问题

本发明提供一种增加BSF层的厚度以提高效率的太阳能电池。

技术方案

在一个实施例中，一种用于接触部的浆料包括：Al粉末、玻璃熔块、无机黏合剂和含有I族元素的P型氧化物。

在另一实施例中，一种太阳能电池包括：位于半导体衬底的一个表面上的前接触部；位于所述半导体衬底的另一表面上的背面场（BSF）层；以及位于所述BSF层上的后接触部，其中，所述BSF层或所述后接触部包括含有I族元素的P型氧化物。

在另一实施例中，一种太阳能电池的制造方法包括：在半导体衬底的另一表面上形成用于接触部的浆料，所述浆料包括含有I族元素的P型氧化物；在所述半导体衬底的一个表面上形成前接触部；以及对所述浆料和所述前接触部进行热处理，以在所述半导体衬底的所述另一表面上同时形成后接触部和BSF层。

有益效果

根据实施例的用于接触部的浆料可以包括含有I族元素的P型氧化物。在太阳能电池的制造过程中，当对包括含有I族元素的P型氧化物的浆料进行热处理时，可以增加BSF的厚度。

就是说，包含在P型氧化物中的I族元素可以扩散到硅衬底中，或包含在P型氧化物中的I族元素氧化物可以扩散到硅衬底中，以增大BSF层的厚度。因此，根据太阳能电池的制造方法，可以提供包括厚度增大的BSF层的太阳能电池。

因此，在根据实施例的太阳能电池中，由于BSF的厚度增加，因此可以减小漏电流，可以防止电子再结合并且可以减小电阻。因此，可以防止太阳能电池短路，并且可以提高太阳能电池的光电转换效率。

附图说明

图1至5是图示根据实施例的太阳能电池的制造过程的剖视图。

图6是图示根据对比例的硅太阳能电池的后接触部的剖视图。

图7是图示根据实施例3的硅太阳能电池的后接触部的剖视图。

图8是图示根据实施例4的硅太阳能电池的后接触部的剖视图。

图9是图示根据实施例5的硅太阳能电池的后接触部的剖视图。

具体实施方式

在实施例的描述中，应该理解，当一个衬底、层、膜或电极被表述为在另一个衬底、层、膜或电极“上”或“下”时，它可以直接地在另一个层或衬底上或下，或者也可以存在中间层。此外，将基于附图对在每个组成层“上”和“下”做出参考。此外，为了进一步理解本公开，可以夸大元件的尺寸和元件之间的相对尺寸。

太阳能电池是将太阳能转化为电能的半导体器件。太阳能电池主要由硅材料形成。一般地，硅太阳能电池包括具有PN结结构的硅衬底、位于硅衬底上以将光线良好地吸收到太阳能电池中的防反射层、位于硅衬底上表面上的前接触部以及位于硅衬底下表面上的BSF层和后接触部。

利用Ag作为主要接触材料可以形成前接触部400。利用Al作为主要接触材料可以形成后接触部320。

通过以下过程可以形成后接触部320。首先，Al浆料可以被丝网印刷在硅衬底100的一个表面上，然后干燥。之后，可以在高于Al的熔点的温度下灼烧硅衬底100，以形成Al-Si熔融物。接着，在冷却Al-Si熔融物的过程中，可以在硅衬底10的一个表面上形成掺杂Al的Si外延生长层和后接触部。就是说，通过灼烧和干燥Al浆料可以将Al浆料转化为后接触部和生长层。

生长层可以被称作背面场（BSF）层。BSF层可以提高太阳能电池的能量转化效率。就是说，被称作BSF层的P⁺层可以形成在由硅材料形成的PN结型太阳能电池的后表面上，以提高太阳能电池的效率。

根据实施例的用于接触部的浆料可以包括Al粉末、玻璃熔块、无机黏合剂和含有I族元素的P^-型氧化物。就是说，用于接触部的浆料可以包括含有I族元素的P^-型氧化物以增加BSF层的厚度。

Al粉末可以给予后接触部导电性并且减小与硅衬底的接触电阻。因此，可以稳定地形成后接触部。