[发明专利]同位素富集的含硼化合物及其制备和使用方法

权利要求书

1.一种含硼化合物，含有两个或以上的硼原子和至少一个氟原子，其中所述化合物含有硼同位素，其浓度或比例高于其天然丰度的浓度或比例。

2.权利要求1的化合物，其含有（i）浓度高于19.9%的原子质量为10的硼或（ii）浓度高于80.1%的原子质量为11的硼。

3.权利要求2的化合物，其中原子质量为10的硼同位素的浓度高于选自下列的值：19.9%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、80%、85%、90%、95%、96%、97%、98%、99%、99.9%和99.99%。

4.权利要求2的化合物，其中原子质量为10的硼同位素的浓度范围选自20-25%、25-30%、30-35%、35-40%、40-45%、45-50%、50-55%、55-60%、60-65%、65-70%、70-75%、75-80%、80-85%、85-90%、90-95%、95-99%和95-99.9%。

5.权利要求2的化合物，其中原子质量为11的硼同位素的浓度高于选自下列的值：80.1%、85%、90%、95%、96%、97%、98%、99%、99.9%和99.99%。

6.权利要求2的化合物，其中原子质量为11的硼同位素的浓度范围选自81-85%、85-90%、90-95%、95-99%和95-99.9%。

7.权利要求1的化合物，其中所述化合物含有两个硼原子。

8.权利要求1的化合物，其中所述化合物具有化学式B₂F₄。

9.权利要求1的化合物，其具有的¹¹B与¹⁰B的比例为4.1-10,000。

10.一种将硼注入基底的方法，其包括：电离含两个或以上的硼原子和至少一个氟原子的含硼化合物以生成硼离子，其中所述化合物含有硼同位素，所述硼同位素的浓度或比例高于其天然丰度的浓度或比例；以及将所述硼离子注入基底。

11.权利要求10的方法，其中所述含硼化合物含有（i）浓度高于19.9%的原子质量为10的硼或（ii）浓度高于80.1%的原子质量为11的硼。

12.权利要求11的方法，其中原子质量为10的硼同位素在含硼化合物中的浓度高于选自下列的值：19.9%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、80%、85%、90%、95%、96%、97%、98%、99%、99.9%和99.99%。

13.权利要求11的方法，其中原子质量为10的硼同位素在含硼化合物中的浓度范围选自20-25%、25-30%、30-35%、35-40%、40-45%、45-50%、50-55%、55-60%、60-65%、65-70%、70-75%、75-80%、80-85%、85-90%、90-95%、95-99%和95-99.9%。

14.权利要求11的方法，其中原子质量为11的硼同位素在含硼化合物中的浓度高于选自下列的值：80.1%、85%、90%、95%、96%、97%、98%、99%、99.9%和99.99%。

15.权利要求11的方法，其中原子质量为11的硼同位素在含硼化合物中的浓度范围选自81-85%、85-90%、90-95%、95-99%和95-99.9%。

16.权利要求10的方法，其中所述含硼化合物含有两个硼原子。

17.权利要求10的方法，其中所述含硼化合物具有化学式B₂F₄。

18.权利要求10的方法，其中所述含硼化合物的¹¹B与¹⁰B的比例范围为4.1-10,000。

19.权利要求10的方法，其中所述电离在电离室中进行并且所述含硼化合物通过导管递送至电离室用于所述电离，其中所述导管维持在可有效抑制导管阻塞和/或在导管中化合物的分解的温度。

20.权利要求19的方法，其还包括有效冷却所述导管和所述电离室中的至少一个。