[发明专利]同位素富集的含硼化合物及其制备和使用方法

说明书

相关申请的互相参引

本申请要求2011年3月15日以Robert Kaim,et al.名义提交的第13/048,367号美国专利申请——“ISOTOPICALLY-ENRICHED BORON-CONTAINING COMPOUNDS,AND METHODS OF MAKING AND USING SAME”的优先权，所述专利申请是根据35USC120对2010年10月27日以Robert Kaim,et al.名义提交的第12/913,721号美国专利申请——“ISOTOPICALLY-ENRICHED BORON-CONTAINING COMPOUNDS,AND METHODS OF MAKING AND USING SAME”的部分延续，该专利申请根据35USC119(e)要求下列美国临时专利申请的优先权：2010年8月30日以Oleg Byl,et al.名义提交的第61/378,353号美国临时专利申请——“ISOTOPICALLY-ENRICHED BORON-CONTAINING COMPOUNDS,AND METHODS OF MAKING AND USING SAME”；2010年8月18日以Oleg Byl,et al.名义提交的第61/375,031号美国临时专利申请——“ISOTOPICALLY-ENRICHED BORON-CONTAINING COMPOUNDS,AND METHODS OF MAKING AND USING SAME”；2010年6月25日以Edward Jones,et al.名义提交的第61/358,514号美国临时专利申请——“ACTIVE COOLING FOR ION IMPLANT GAS DELIVERY SYSTEM”；2010年5月27日以Edward Jones,et al.名义提交的第61/349,202号美国临时专利申请——“ACTIVE COOLING FOR ION IMPLANT GAS DELIVERY SYSTEM”；以及2009年10月27日以Robert Kaim,et al.名义提交的第61/255,097号美国临时专利申请——“BORON ION IMPLANTATION APPARATUS AND METHOD”。此外，在本申请中要求前述第12/913,721号美国专利申请、第61/378,353号美国临时专利申请和第61/375,031号美国临时专利申请的优先权。出于所有目的，所有上述美国专利申请（第13/048,367和12/913,721号美国专利申请）以及第61/378,353、61/375,031、61/358,514、61/349,202和61/255,097号美国临时专利申请的公开内容以其各自全文通过引证的方式纳入本说明书中。

技术领域

本文公开内容涉及同位素富集的含硼化合物、组合物，及其制备和使用方法。

背景技术

离子注入（ion implantation）用于集成电路制造中以将受控量的掺杂剂杂质精确地引入半导体晶片中，并且其是微电子/半导体制造中的关键步骤。

在这样的注入系统中，离子源电离所需掺杂剂源气体（dopant sourcegas）的掺杂元素（dopant element）。所述离子源通过将电子引入充满掺杂剂源气体（通常也被称为“原料气（feedstock gas）”）的真空室来生成离子。用于生成注入物质的原料气包括但不限于BF₃、B₁₀H₁₄、B₁₂H₂₂、PH₃、AsH₃、PF₅、AsF₅、H₂Se、N₂、Ar、GeF₄、SiF₄、O₂、H₂和GeH₄。含有待注入的掺杂元素的组合物通常称为掺杂剂源或前体。电子与气体中的掺杂剂原子和分子碰撞使得形成由正和负掺杂离子组成的离子化等离子体（ionized plasma）。