[发明专利]半导体芯片封装、半导体模块及其制造方法有效
申请号: | 201180050669.6 | 申请日: | 2011-09-28 |
公开(公告)号: | CN103229293A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 权容台 | 申请(专利权)人: | NEPES株式会社 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L23/48;H01L23/28 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 谢顺星;张晶 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 芯片 封装 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体芯片封装,其特征在于,所述半导体芯片封装包括:绝缘架,其包括形成于中央的开口部及形成于所述开口部周围的通孔;半导体芯片,其设置在所述开口部中;导电部,其填充在所述通孔中;内部绝缘层,其形成于所述绝缘架和所述半导体芯片的底面,以使所述导电部的底面露出;以及内部信号图案,其形成于所述内部绝缘层上,使所述半导体芯片和所述导电部电气连接。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片封装,所述半导体芯片封装还包括模塑层,所述模塑层形成于所述绝缘架和所述半导体芯片的上面,使所述绝缘架和所述半导体芯片一体化。
3.根据权利要求2所述的半导体芯片封装,其特征在于,所述开口部的里面与所述半导体芯片相隔形成一定的空间,所述模塑层填充在所述一定的空间内。
4.根据权利要求2所述的半导芯片封装,其特征在于,所述模塑层的厚度与所述导电部的厚度相同。
5.根据权利要求2所述的半导体芯片封装,其特征在于,所述模塑层只填充在所述绝缘架和所述半导体芯片之间的空间中,以使所述绝缘架的上面、所述导电部的上面及所述半导体芯片的上面露出。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片封装,其特征在于,所述半导体芯片封装还包括覆盖所述绝缘架和所述半导体芯片的上部绝缘层,以使所述导电部的上面露出。
7.根据权利要求6所述的半导体芯片封装,其特征在于,所述半导体芯片封装还包括形成于所述上部绝缘层和所述导电部上面的上部信号图案。
8.根据权利要求1所述的半导体芯片封装,其特征在于,所述半导体封装芯片还包括与所述内部信号图案电气连接的外部信号图案;以及形成于所述外部信号图案上的外部绝缘层,以使所述外部信号图案的一部分露出。
9.一种半导体模块,其特征在于,所述半导体模块包括第一半导体芯片封装和第二半导体芯片封装,所述第一半导体芯片封装和第二半导体芯片封装垂直地层压并电气连接;所述第一半导体芯片封装包括:第一绝缘架,其包括形成于中央的第一开口部及形成于所述第一开口部周围的第一通孔;第一半导体芯片,其设置在所述第一开口部中;第一导电部,其填充在所述第一通孔中;第一内部绝缘层,其形成于所述第一绝缘架和所述第一半导体芯片的底面,以使所述第一导电部的底面露出;第一内部信号图案,其形成于所述第一内部绝缘层上,使所述第一半导体芯片和所述第一导电部电气连接;所述第二半导体芯片封装包括:第二绝缘架,其包括形成于中央的第二开口部及形成于所述第二开口部周围的第二通孔;第二半导体芯片,其设置在所述第二开口部中;第二导电部,其填充在所述第二通孔中;第二内部绝缘层,其形成于所述第二绝缘架和所述第二半导体芯片的底面,以使所述第二导电部的底面露出;第二内部信号图案,其形成于所述第二内部绝缘层上,使所述第二半导体芯片和所述第二导电部电气连接。
10.根据权利要去9所述的半导体模块,其特征在于,所述第一半导体芯片封装还包括与所述第一内部信号图案电气连接的第一外部信号图案;以及使所述第一外部信号图案和所述第二导电部电气连接的导电性连接部。
11.根据权利要求9所述的半导体模块,其特征在于,所述第二半导体芯片封装还包括与所述第二内部信号图案电气连接的第二外部信号图案;以及使所述第一导电部和所述第二外部信号图案电气连接的导电性连接部。
12.根据权利要求9所述的半导体模块,其特征在于,其还包括使所述第一导电部和所述第二导电部电气连接的导电性连接部。
13.根据权利要求9所述的半导体模块,其特征在于,所述半导体芯片为存储器片。
14.根据权利要求9所述的半导体模块,其特征在于,其还包括安装于所述第一半导体芯片封装或所述第二半导体芯片封装一面上的半导体集成电路元件或表面安装型无源元件。
15.根据权利要求9所述的半导体模块,其特征在于,其还包括形成于所述第一半导体芯片封装或所述第二半导体芯片封装一面上的焊锡球或焊接凸点。
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